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镰刀判官
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当一个东西同时撞上"AI 疯狂扩张"和"全球省电焦虑"两个最硬的趋势——它不是风口,是台风。毎日、1つの業界を理解する! すべての業界を十分に理解して初めて、ブームが来る前に布石を打てる——株価が上がってから追いかけるのではなく。 今日は窒化ガリウムについて話します。 結論から:あるものが同時に「AIの狂気的な拡大」と「世界規模の省電力への不安」という、最も強い2つのトレンドにぶつかったとき——それは風口ではなく、台風です。 これが窒化ガリウムです。 あなたの手元の65W急速充電器なんて、ただの前菜にすぎません。いま、それは世界最大の電力消費マシン——AIデータセンターに入ってきています。世界の100GWの導入量がすべてGaNに置き換われば、原発4基分の節電になります。ここまで来ると、節約の計算ではなく、生存の話です。

当一个东西同时撞上"AI 疯狂扩张"和"全球省电焦虑"两个最硬的趋势——它不是风口,是台风。

毎日、1つの業界を理解する!
すべての業界を十分に理解して初めて、ブームが来る前に布石を打てる——株価が上がってから追いかけるのではなく。
今日は窒化ガリウムについて話します。
結論から:あるものが同時に「AIの狂気的な拡大」と「世界規模の省電力への不安」という、最も強い2つのトレンドにぶつかったとき——それは風口ではなく、台風です。
これが窒化ガリウムです。
あなたの手元の65W急速充電器なんて、ただの前菜にすぎません。いま、それは世界最大の電力消費マシン——AIデータセンターに入ってきています。世界の100GWの導入量がすべてGaNに置き換われば、原発4基分の節電になります。ここまで来ると、節約の計算ではなく、生存の話です。
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モンキー兄さん 10倍の潜在能力:急速充電の潮流からAIへの豪賭、NVTSの時価総額60億の裏には、次世代電源の覇者か、個人投資家のミンチ機か?NVTSという会社、まずは驚くべき数字を示す:年収4590万ドル、時価総額60億ドル、P/S 131倍。パワー半導体業界の中央値は4〜6倍なのに、中央値の25倍以上。これは私が分析したすべてのパワーチップ会社の中で最も評価が高いものかもしれない。 でも、なぜ1年で10倍になったのか?それは、AIデータセンターがマジで電力を食い過ぎる方向に賭けたからだ。 NVIDIAのGB200、1ラックの消費電力は120kW。これらの電力は、電力網の高圧ACからGPUが使える低圧DCに変換する必要があって、その過程で1%の効率を失うたびに、データセンター全体で数百万ドルの電気代が増える。

モンキー兄さん 10倍の潜在能力:急速充電の潮流からAIへの豪賭、NVTSの時価総額60億の裏には、次世代電源の覇者か、個人投資家のミンチ機か?

NVTSという会社、まずは驚くべき数字を示す:年収4590万ドル、時価総額60億ドル、P/S 131倍。パワー半導体業界の中央値は4〜6倍なのに、中央値の25倍以上。これは私が分析したすべてのパワーチップ会社の中で最も評価が高いものかもしれない。
でも、なぜ1年で10倍になったのか?それは、AIデータセンターがマジで電力を食い過ぎる方向に賭けたからだ。
NVIDIAのGB200、1ラックの消費電力は120kW。これらの電力は、電力網の高圧ACからGPUが使える低圧DCに変換する必要があって、その過程で1%の効率を失うたびに、データセンター全体で数百万ドルの電気代が増える。
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猴哥:GPUの終わりは電気代、800VDCの背後にある第三世代半導体こそが真の主線!第三世代半導体のこのライン、最近ますます面白く感じてきて、勉強した内容を整理して皆さんにシェアする。 まず多くの人がまだ気づいていないことを言おう:AIはGPUだけでなく、電力も必要だ。 現在のAIデータセンターのラックの電力は、過去の10kWから数百kWに急増しており、従来の交流配電では耐えられない。NVIDIAは800V直流配電アーキテクチャを推進しており、商用電力を800V DCに直接変換し、いくつかの変換を省いて効率を5%向上させ、銅の使用量を半分に削減し、メンテナンスコストを70%削減している。 800VDCの核心デバイスは、炭化ケイ素SiCと窒化ガリウムGaNだ。

猴哥:GPUの終わりは電気代、800VDCの背後にある第三世代半導体こそが真の主線!

第三世代半導体のこのライン、最近ますます面白く感じてきて、勉強した内容を整理して皆さんにシェアする。
まず多くの人がまだ気づいていないことを言おう:AIはGPUだけでなく、電力も必要だ。
現在のAIデータセンターのラックの電力は、過去の10kWから数百kWに急増しており、従来の交流配電では耐えられない。NVIDIAは800V直流配電アーキテクチャを推進しており、商用電力を800V DCに直接変換し、いくつかの変換を省いて効率を5%向上させ、銅の使用量を半分に削減し、メンテナンスコストを70%削減している。
800VDCの核心デバイスは、炭化ケイ素SiCと窒化ガリウムGaNだ。
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