Дорожная карта Samsung по HBM5 выявляет проблему серьёзнее, чем пропускная способность
Samsung планирует увеличить скорость ввода-вывода HBM примерно вдвое при переходе от HBM4E к HBM5 без пропорционального увеличения ширины интерфейса.
Но более сложная проблема — плотность энергопотребления.
На презентации Samsung на Hot Chips 2026 показано, что плотность энергопотребления PHY вырастет примерно с 0,5 до более чем 2,0 Вт/мм² — более чем в 4 раза, — тогда как скорость ввода-вывода удвоится.
Предлагаемый компанией блок Heat Path Block призван снизить пиковую температуру более чем на 35%.
Дело не просто в более быстрой DRAM.
Узкое место перемещается в базовый кристалл логики: конструкция PHY, целостность сигнала и управление тепловым режимом должны масштабироваться одновременно.
На мой взгляд, следующее конкурентное преимущество HBM может быть связано не столько с увеличением числа слоёв DRAM, сколько с тем, чтобы базовый кристалл обеспечивал пропускную способность, не расходуя весь запас по энергопотреблению и тепловыделению.
Теперь важно следить не только за показателем ТБ/с.
Важен показатель пДж/бит при устойчивой рабочей скорости.
Показатели Samsung — это цели, заявленные в дорожной карте, а не подтверждённые результаты производства HBM5.
#stocks
Samsung планирует увеличить скорость ввода-вывода HBM примерно вдвое при переходе от HBM4E к HBM5 без пропорционального увеличения ширины интерфейса.
Но более сложная проблема — плотность энергопотребления.
На презентации Samsung на Hot Chips 2026 показано, что плотность энергопотребления PHY вырастет примерно с 0,5 до более чем 2,0 Вт/мм² — более чем в 4 раза, — тогда как скорость ввода-вывода удвоится.
Предлагаемый компанией блок Heat Path Block призван снизить пиковую температуру более чем на 35%.
Дело не просто в более быстрой DRAM.
Узкое место перемещается в базовый кристалл логики: конструкция PHY, целостность сигнала и управление тепловым режимом должны масштабироваться одновременно.
На мой взгляд, следующее конкурентное преимущество HBM может быть связано не столько с увеличением числа слоёв DRAM, сколько с тем, чтобы базовый кристалл обеспечивал пропускную способность, не расходуя весь запас по энергопотреблению и тепловыделению.
Теперь важно следить не только за показателем ТБ/с.
Важен показатель пДж/бит при устойчивой рабочей скорости.
Показатели Samsung — это цели, заявленные в дорожной карте, а не подтверждённые результаты производства HBM5.
#stocks