Больше пластин DRAM в 2027 году не обязательно означает увеличение предложения стандартной DRAM.
Samsung, SK hynix и Micron расширяют мощности. Но сроки запуска фабрик и оценки количества запускаемых пластин отражают лишь часть картины.
Micron сообщила о соотношении обмена мощностей HBM на DDR5 примерно 3:1, причем в новых поколениях HBM это соотношение увеличивается.
Это означает, что рост HBM может поглощать непропорционально большую долю новых мощностей DRAM.
Противодействующий фактор — переход на новые техпроцессы: увеличение количества пригодных к использованию битов на пластину может частично компенсировать это давление.
Я предполагаю, что инвесторы, ориентирующиеся на рост числа запускаемых пластин, могут переоценивать увеличение предложения обычной DRAM.
Следует следить за распределением мощностей под HBM, эффективным выходом битов на пластину и фактическими поставками битов стандартной DRAM.
Рост числа пластин может сочетаться с сокращением предложения обычной DRAM. Важнее структура выпуска, а не заявленная общая мощность.
#stock
$SKHY.US $MU.US
Samsung, SK hynix и Micron расширяют мощности. Но сроки запуска фабрик и оценки количества запускаемых пластин отражают лишь часть картины.
Micron сообщила о соотношении обмена мощностей HBM на DDR5 примерно 3:1, причем в новых поколениях HBM это соотношение увеличивается.
Это означает, что рост HBM может поглощать непропорционально большую долю новых мощностей DRAM.
Противодействующий фактор — переход на новые техпроцессы: увеличение количества пригодных к использованию битов на пластину может частично компенсировать это давление.
Я предполагаю, что инвесторы, ориентирующиеся на рост числа запускаемых пластин, могут переоценивать увеличение предложения обычной DRAM.
Следует следить за распределением мощностей под HBM, эффективным выходом битов на пластину и фактическими поставками битов стандартной DRAM.
Рост числа пластин может сочетаться с сокращением предложения обычной DRAM. Важнее структура выпуска, а не заявленная общая мощность.
#stock
$SKHY.US $MU.US