Samsung utilizará el proceso de 3 nm de TSMC para las obleas base de HBM de próxima generación de NVIDIA: informe
Primera colaboración reportada: Samsung Electronics planea utilizar el proceso de 3 nm de TSMC para fabricar obleas base para la memoria personalizada de alto ancho de banda (HBM) de próxima generación de NVIDIA, informó Seoul Economic Daily.
Requisitos de NVIDIA: Según se informa, NVIDIA pidió a Samsung, SK Hynix y Micron que utilicen el proceso de TSMC para las obleas base de NVHBM y adopten DRAM de sexta generación para los chips de memoria del núcleo.
Arquitectura de memoria personalizada: NVHBM integra el controlador de memoria personalizado de NVIDIA en el sustrato, con el objetivo de estandarizar la implementación entre varios proveedores de memoria.
Samsung acepta la propuesta: Según se informa, Samsung dio su visto bueno tras una revisión interna, pero seguirá fabricando internamente HBM estándar y productos de memoria personalizados para otros clientes.
Se estudia una producción alternativa: Samsung también está evaluando si su propia fundición podría fabricar obleas base de NVHBM en caso de que la demanda supere la capacidad disponible de TSMC.
Conclusión clave: El acuerdo reportado podría estrechar la cooperación entre Samsung y TSMC y, al mismo tiempo, ofrecer a NVIDIA una cadena de suministro más estandarizada para su tecnología de memoria de IA de próxima generación.
Primera colaboración reportada: Samsung Electronics planea utilizar el proceso de 3 nm de TSMC para fabricar obleas base para la memoria personalizada de alto ancho de banda (HBM) de próxima generación de NVIDIA, informó Seoul Economic Daily.
Requisitos de NVIDIA: Según se informa, NVIDIA pidió a Samsung, SK Hynix y Micron que utilicen el proceso de TSMC para las obleas base de NVHBM y adopten DRAM de sexta generación para los chips de memoria del núcleo.
Arquitectura de memoria personalizada: NVHBM integra el controlador de memoria personalizado de NVIDIA en el sustrato, con el objetivo de estandarizar la implementación entre varios proveedores de memoria.
Samsung acepta la propuesta: Según se informa, Samsung dio su visto bueno tras una revisión interna, pero seguirá fabricando internamente HBM estándar y productos de memoria personalizados para otros clientes.
Se estudia una producción alternativa: Samsung también está evaluando si su propia fundición podría fabricar obleas base de NVHBM en caso de que la demanda supere la capacidad disponible de TSMC.
Conclusión clave: El acuerdo reportado podría estrechar la cooperación entre Samsung y TSMC y, al mismo tiempo, ofrecer a NVIDIA una cadena de suministro más estandarizada para su tecnología de memoria de IA de próxima generación.