SAMSUNG LLEVARÁ EL EUV DE ALTA N.A. DE ASML A LA PRODUCCIÓN DE DRAM PARA 2028
Samsung planea utilizar <0>$ASML </0> High-NA EUV en la futura fabricación de DRAM de alto volumen para 2028, algo que las empresas afirman que sería un hito para la industria.
Samsung también se suma a un esfuerzo para pasar las fotomáscaras de semiconductores del formato estándar de 6 pulgadas al de 12 pulgadas, con el objetivo de mejorar la productividad de la fab, reducir los costos de fabricación y eliminar las limitaciones de “stitching” en la producción con High-NA EUV.
La alianza ampliada abarca tanto la memoria avanzada como la fabricación de semiconductores de próxima generación.
Samsung planea utilizar <0>$ASML </0> High-NA EUV en la futura fabricación de DRAM de alto volumen para 2028, algo que las empresas afirman que sería un hito para la industria.
Samsung también se suma a un esfuerzo para pasar las fotomáscaras de semiconductores del formato estándar de 6 pulgadas al de 12 pulgadas, con el objetivo de mejorar la productividad de la fab, reducir los costos de fabricación y eliminar las limitaciones de “stitching” en la producción con High-NA EUV.
La alianza ampliada abarca tanto la memoria avanzada como la fabricación de semiconductores de próxima generación.
