sssgenius

IT之家 8 月 10 日消息，SK 海力士今日刊发公告，就彭博社“SK 海力士出售中国重庆 4 万亿韩元工厂股份”报道进行回应。
SK 海力士表示：
我们正在考虑采取各种措施来加强我们封装业务的竞争力，但迄今为止还没有任何定论。
我们将在具体内容确定后或者 1 个月内再次发布公告。

北京时间8月10日，韩国SK海力士针对“拟出售中国重庆工厂股权（估值约4万亿韩元）”的传闻发布公告称，公司正在评估增强封装业务竞争力的各项措施方案，但截至目前，尚未做出任何最终决定。
SK海力士表示，待具体事项确定后会对外公布。
此前有媒体援引知情人士消息称，SK海力士正在考虑其位于中国重庆的工厂的多种处置方案，包括引进投资者以加速业务增长等。报道称，潜在的股权出售对该工厂的估值约为30亿美元。
编辑：王伊萌
责编：吉翔
费大厨不自称“大王”了？
外国年轻人正努力活成中国人
武契奇：欧洲已处于大战边缘，不要试图在乌克兰冲突中从战略上挫败俄罗斯

　　8月10日，SK海力士就“4万亿韩元规模中国重庆工厂推进出售”的市场传闻发布公告称，公司正在研究多种提升封装业务竞争力的方案，但截至目前尚未确定任何具体事项。SK海力士表示，若未来相关事项确定，将在确定之日起或一个月内再次披露。
　　此前，据中新经纬援引彭博社报道，有知情人士透露，韩国SK海力士正在考虑其位于中国重庆的工厂的多种处置方案，包括引进投资者以加速业务增长。上述人士称，潜在的股权出售对该工厂的估值可能约为30亿美元（约4.2万亿韩元）。

（来源：财闻）
SK海力士员工筹备成立统一工会，覆盖全岗位员工，劳资矛盾进入第二阶段博弈。
8月10日，据财闻海外资讯，SK海力士即将成立打破岗位壁垒的统一工会，原工会体系按生产线、技术/行政岗拆分，形成多工会分立格局。
本次筹建统一工会的导火索是去年劳资双方敲定超额利润分红制度，但公司在今年薪资与集体协议谈判中提出修改方案，引发全体员工集体抗议。新工会为独立工会，不隶属于韩国劳动组合总联盟（韩国劳总）、全国民主劳动组合总联盟（民主劳总）两大全国工会组织。
新工会由新生代技术行政员工出任临时委员长，生产线员工担任副委员长，整合全岗位诉求。新工会能否直接参与当前正在推进的本年度薪资集体协议谈判，目前仍存变数。
SK海力士官方回应：“正在核实工会提交设立申请一事，确认后将依照劳动法规、法定流程应对。”劳资双方将于11日举行第六轮薪资集体协议正式谈判，持续围绕绩效奖金改革方案展开博弈。
据披露，企业向工会提出两大调整提议：一是将部分绩效奖金以公司自有股票发放，并设置锁定期、限制卖出；二是若公司出现营业亏损，可临时下调员工薪资。此举引发全体员工强烈不满。
工会内部普遍质疑：“为何三星电子的奖金风波，要让我们SK海力士员工一同承担代价？”
SK集团会长崔泰元也曾公开表态：“若员工收益损害其他利益相关方，想要实现可持续发展，就必须调整奖金核算规则。”
首尔大学经营学院讲席教授宋宰勇点评：“全球大型科技企业普遍采用限售股权（RSU）激励，会根据个人贡献差异化发放；合理方向应当是整体提升薪酬激励水平，按个人业绩分配股权，奖金规模与发放方式均需经由董事会、股东大会审议确认。”

（来源：半导体前沿）
8月10日消息，据报道，近日，有知情人士透露，韩国SK海力士正在考虑旗下中国重庆的工厂的多种处置方案，其中包括引进投资者，以加速业务增长。
上述知情人士称，潜在的股权出售对该工厂的估值可能约为30亿美元。
据悉，SK海力士已接洽多家潜在顾问，梳理多种合作方案，核心方向包括出售部分股权、引入外部投资者。
知情人士称，意向收购方可能包括中国本土基金及产业资本，SK海力士自身可能会保留该资产的少数股权。
值得一提的是，知情人士还表示，目前的讨论还处于初步阶段，可能不会导致任何交易。同时，SK海力士的代表拒绝置评。
资料显示，SK海力士是最早深耕中国市场的海外芯片巨头之一，二十余年前便落地江苏无锡，打造集团首座海外大型晶圆制造厂。
而重庆工厂，则是其在华布局的核心NAND Flash封装测试基地，助推该公司NAND闪存后端生产业务在全球范围内增长。
该项目运营主体为爱思开海力士半导体（重庆）有限公司，其于2013年7月15日正式成立，注册资本达4亿美元，项目计划总投资额12亿美元，厂区占地面积28万平方米。
项目采取分阶段落地投产，一期工程在2014年顺利实现量产，二期项目也在2019年全面投产运行。
来源：官方媒体/网络新闻
—论坛信息—
名称：第九届半导体大硅片论坛2026
时间：2026年10月20-21日
地点：西安
主办方：亚化咨询
—会议背景—
在AI-HPC、GPU及HBM强劲拉动下，全球大硅片需求已明显回暖。根据亚化咨询最新数据，2025年全球半导体硅片出货面积由负转正，2026年第一季度出货面积同比大幅增长约13%，达到约33亿平方英寸，市场呈现明显复苏态势，尤其是高端300mm先进制程硅片表现突出。
全球硅片行业仍高度集中，信越化学、Sumco、Siltronic、环球晶圆、SK Siltron等五大厂商保持主导地位，但在新一轮需求和区域产业安全诉求驱动下，其市场份额正面临来自中国大陆厂商的压力。奕斯伟材料、沪硅产业、有研半导体、超硅、中欣晶圆、金瑞泓（立昂微）、TCL中环等企业快速推进产能建设和客户验证，中国大陆12英寸硅片国产化率持续提升。
国内硅片需求保持较快增长，300mm大尺寸硅片已成为先进逻辑、HBM高带宽内存、先进封装等高性能计算场景的主流选择，在AI数据中心、新能源汽车、工业电子等新兴应用中的拉动尤为明显。企业持续加大投资力度，在高均匀性、低缺陷单晶拉制，外延和SOI晶圆制造，以及高纯电子级多晶硅等关键环节不断攻关，力求在保证质量与良率的基础上提升国产供给能力和全球竞争力。
在AI与算力需求快速扩张的背景下，如何把握半导体大尺寸硅片需求与供应的演变趋势，如何突破300mm高均匀性单晶拉制、低缺陷外延与SOI制造、高纯电子级多晶硅等关键技术瓶颈，并在保持质量稳定的前提下进一步提升国产化率，已成为产业链各方的核心关注。
第九届半导体大硅片论坛将于2026年10月20–21日在西安召开。会议由亚化咨询主办，汇聚多家领先大硅片企业及相关材料、设备厂商，围绕全球与中国半导体大硅片市场格局、大硅片项目规划与建设进展、供需与价格趋势、制造技术与关键材料和设备，以及电子级多晶硅与硅材料的最新进展与展望等议题交流探讨。
—会议主题—
1.全球半导体行业趋势与大硅片产业展望
2.AI-HPC爆发下大硅片市场需求增长分析与预测
3.中国成熟制程与先进制程产能扩张对大硅片需求的影响
4.中国大硅片项目建设现状、挑战与未来规划
5.地缘政治与贸易摩擦对全球及中国大硅片市场的影响
6.300mm硅片制造核心技术难点与突破路径
7.大硅片工厂生产运营实战经验分享与智能化升级
8.单晶硅锭切割、磨片、抛光及清洗技术前沿进展
9.电子级多晶硅项目规划、产能释放与供应链安全
10.大硅片制造先进设备与国产化技术突破
11.硅片掺杂技术创新及其在芯片中的应用
12.国产12英寸半导体级单晶硅炉的技术进展与产业化应用
13.AI赋能长晶与硅片制造：应用实践与挑战
—赞助方案—
企业介绍以及相关软文
彩色全页广告（尺寸A4）
含两个参会名额
如果您有意向参与演讲、赞助或参会，欢迎您与我们联系：
朱经理17717602095?(微信同号）

突然，暂停买盘！重大利好，存储巨头直线飙涨！日韩股市集体拉升
SK海力士传来重磅利好。
今日（8月10日）早间，日韩股市开盘后，各大指数集体拉升，韩国KOSPI指数一度大涨超2%，存储芯片巨头SK海力士一度大涨超4%。消息面上，据韩媒报道，SK海力士拟推出总额约100万亿韩元（约合人民币4790亿元）的史上最大股东回报计划。
韩国KOSDAQ指数大涨超5%，韩国交易所启动SIDECAR机制，暂停KOSDAQ程序化买盘。
值得注意的是，日本央行再度释放加息信号。据最新发布的7月政策会议意见摘要，有日本央行官员认为，鉴于价格上涨风险不断上升，日本央行的加息步伐最终可能会超过市场目前的预期。但也有官员建议，维持政策利率不变，以评估上次加息的影响。
日韩股市拉升
北京时间8月10日早间，韩国股市开盘后，SK海力士、三星电子股价集体拉升，截至9:20，涨幅分别为1.27%、1.08%。受此推动，韩国KOSPI指数上涨1.01%。日本股市亦全线走强，日经225指数涨1.96%。
消息面上，SK海力士正在规划一项史上最大规模的股东回报计划，市场对公司的资本回报预期显著升温。
据韩国《韩国经济》报道，SK海力士拟推出总额约100万亿韩元的股东回报方案，其中股份回购约40万亿韩元，回购规模约占总股本2%出头，基本相当于美股发行规模。
如果该方案最终落地，股东回报规模将远超SK海力士去年约14.3万亿韩元的现金股息与股票注销合计规模，扩张幅度显著。
根据韩媒报道，SK海力士的回购规模约为40万亿韩元，占公司总股本略超2%，与其为在美国发行存托凭证（ADR）而增发新股的规模（占总股本约2.5%）基本相当。
市场普遍将此次回购视为对股权稀释的实质性对冲。
作为参照，SK海力士去年现金股息为2.1万亿韩元，股票注销12.2万亿韩元，两者合计约14.3万亿韩元，注销规模占总股本的比例约2.1%。若此次百万亿韩元方案如期落地，将较去年规模实现数倍扩张。
在常规分红层面，SK海力士7日公告本季度每股现金股息375韩元，股息总额为2733亿韩元，按普通股股息率计算约为0.02%，基准日定为本月31日，公司将于基准日起一个月内完成派发。
SK海力士公告中明确表示：“正在研究提升股东价值的追加股东回报方案，具体内容将于第三季度确定并公布。”
这意味着原定年内公布的计划被提前至三季度，释放出较为积极的信号。
SK海力士推进大规模股东回报的底气，源于其在HBM市场的主导地位及随之而来的强劲盈利预期。
据金融信息平台EpicAI预测，SK海力士2026年全年营收有望达到345.6万亿韩元，营业利润约266.4万亿韩元，分别较去年增长约256%、464%。
SK海力士管理层在上月二季度业绩电话会议上表示，下半年第六代HBM产品HBM4出货量将大幅提升，前沿通用DRAM出货量亦将增加，预计下半年整体出货量将高于上半年水平。
日本央行的加息信号
与此同时，日本央行未来的加息路径也备受市场关注。8月10日，日本央行发布的7月会议概要显示，日本央行内部就加息步伐存在分歧，有官员建议维持利率不变以评估上次加息的影响，也有官员建议加快收紧货币政策。
一名成员表示，随着油价上涨传导至消费者通胀，全球人工智能需求以及日本扩张性财政政策推动需求，通胀前景面临巨大上行风险。
另有官员表示，根据经济、价格和金融状况，日本央行加息的步伐可能会比市场预期更快。
日本央行7月31日结束货币政策会议后宣布，将政策利率维持在1%不变。当前，市场对日本央行提前加息的预期正在升温。
在此之前，有日本财务省官员表示，美国正要求日本改变导致结构性日元抛售的经济基本面，美国财政部长贝森特或将在8月底举行的二十国集团(G20)财长和央行行长会议上施压，要求日方加快加息步伐。贝森特此前表示，为纠正日元贬值，日本的政策和经济方面有必要进行改善。
在被问到日本央行是否需要加息时，贝森特回应称：“日本央行行长植田和男应该会进行必要的应对。”
（来源：e公司）

（来源：财闻）
2027年供需缺口甚至会扩大，长期协议正在改变行业盈利模式。
8月10日消息，摩根大通（JPM.US）在最新研报中上调了2026~2028年存储市场预测，上调幅度48%。核心驱动力（920275.BJ）来自两方面。一是AI服务器对DRAM的需要需求还在加速。二是AI从GPU向CPU的扩散效应被市场严重低估了。摩根大通预计，2027年全球存储市场收入将达到1.44万亿美元，其中DRAM接近一万亿，HBM约1456亿。到2028年，整体市场将进一步扩大至1.82万亿美元。
HBM市场方面，虽然英伟达（NVDA.US）下调了部分规格，但摩根大通对HBM的价格判断依然乐观，预计2027年HBM混合均价同比上涨42%。虽然这比市场最乐观的翻倍预期要保守，但绝对涨幅依然可观。具体来看，摩根大通预计三星的HBM份额将达到37%~38%，基本追平其DRAM整体市占率。而博通（AVGO.US）最近与三星签署的超过2000亿韩元长期协议，主要用于ASIC客户的HBM供应。
摩根大通指出，尽管股价回调，但存储供不应求的基本面未变。2027年供需缺口甚至会扩大，长期协议正在改变行业盈利模式。史无前例的股东回报是催化剂。摩根大通维持对三星、SK海力士（SKHY.US）、美光科技（MU.US）、铠侠等全球存储龙头的超配评级。同时，建议关注三季度财报季作为预期重设的关键窗口，下行风险在于AI资本开支增速放缓、长期协议执行不及预期等。

【报道称三星电子HBM4近期良率已达到80%】财联社8月10日电，据当地媒体8月9日报道，三星电子HBM4近期良率已达到80%。半导体行业中，80%良率也被称作“黄金良率”，是一道关键拐点。达到该良率意味着缺陷率可控、产出稳定，具备盈利基础。一位业内人士表示：“三星电子最初设定的年终良率目标即为80%，但下半年量产规模提升后，工艺改善进度超出预期。”业内指出，三星电子该产品2月刚启动量产时良率不足60%，而后仅用六个月实现良率企稳，HBM市场竞争由此从技术研发比拼转向产能争夺。业内判断，SK海力士HBM4良率同样已经迈入80%区间。瑞银在近期报告中预测：若按HBM比特出货量统计，2026年SK海力士将以48%份额维持首位；2027年三星将以41%份额微弱反超SK海力士的39%。

（来源：财闻）
其订单出货比体现行业有望进入景气周期。
8月10日，万联证券发布了一篇电子行业的研究报告，报告指出，日韩MLCC龙头厂商业绩表现较好，并上调全年业绩指引。
上周申万电子指数上涨12.62%，跑赢沪深300指数和创业板指数。日韩MLCC龙头厂商业绩表现较好，并上调全年指引，其订单出货比体现行业有望进入景气周期。存储行业方面，结构性紧缺格局或延续，SK海力士等大厂资本开支仍较为积极。我们认为算力建设方兴未艾，算力产业链中高景气细分赛道如PCB、存储、MLCC等需求旺盛，均处于景气扩张周期，亦有望提振上游设备、先进封装等需求，建议关注PCB、存储、MLCC、半导体设备及材料、先进封装等产业链投资机遇。
（1）MLCC，8月5日，日本MLCC龙头太阳诱电发布最新一季财报，期内销售额约为939亿日元，同比增长10.7%，其中，电容器产品销售额约为690亿日元，占比73.5%，同比增长14.7%。归属于母公司股东的净利润为25亿日元，上年同期为亏损8.76亿日元。公司表示，业绩增长是因为用于AI服务器的高附加值高端产品需求扩大。另两家国际巨头，日本村田（Murata）和韩国三星电机（SamsungElectro-Mechanics）此前公布的业绩情况也体现了这轮由AI驱动的高增长。
（2）存储，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，由于DRAM供不应求格局将延续至2027年，而且原厂HBM4e的验证进度存在变量，自2026年第三季起，NVIDIA（英伟达）对RubinUltra的HBM配置已从HBM4e12hi，改为并行评估HBM4e8hi、HBM412hi、HBM48hi等设计，目前尚未定案。
（3）存储，为应对AI时代持续增长的存储器需求，SK海力士最新宣布，将在韩国龙仁和清州新建两座晶圆厂，合计投资规模约54万亿韩元（约合380亿美元）。具体而言，SK海力士计划投资35.2万亿韩元（约合248亿美元）用于建设龙仁“Y2”晶圆厂，另投资19.1万亿韩元（约合135亿美元）用于建设清州“M17”晶圆厂。此举是该司今年6月公布的中长期投资战略的后续落地。
（4）存储，华邦电子2026年第二季度财务业绩表现强劲，合并营收达598.43亿元新台币，同比增长184.7%；营业毛利率攀升至66.2%；归属母公司税后净利达243.17亿元新台币，同比暴增超256倍。华邦电子总经理陈沛铭预期，在AI、数据中心及车用等需求的持续推动下，DRAM供给吃紧的态势将延续至2027年，且明年供需缺口可能进一步扩大。
行业估值：从估值情况来看，截至2026年8月9日，SW电子板块PE（TTM）为100.87倍，2019年至2026年8月9日SW电子板块PE（TTM）均值为56.56倍，行业估值高于近年中枢水平。
风险因素：中美科技摩擦加剧；AI应用发展不及预期；国产技术突破不及预期；下游终端需求不及预期；市场竞争加剧。

IT之家 8 月 10 日消息，SK 海力士董事会在当地时间本月 7 日的文件中曾表示“正在积极研究额外的股东回报方案，具体事项预计将于第三季度内确定并公布”。
而根据《韩国经济日报》的同日报道，这家在近两年获利丰厚的存储半导体制造商计划打出 100 万亿韩元（IT之家注：现汇率约合 4,752 亿元人民币）的股东回报“组合拳”。
韩媒援引消息人士的话报道称，这 100 万韩元将包括 40 万亿韩元（现汇率约合 1,900.8 亿元人民币）的股票回购，此外还有现金分红等其它回报举措。40 万韩元的股票约占 SK 海力士总股本的 2%，与该企业此前在美国以 ADR（美国存托凭证）上市而发行的 2.5% 新股位于一个量级。
SK 海力士去年执行了 2.1 万亿韩元的现金分红和 12.2 万亿韩元的股票回购并注销，后者占总股本的 2.1%。SK 海力士本月 7 日批准的每股 375 韩元季度股息合计 2733.248 亿韩元。

（来源：财闻）
这一路径若成型，将为长鑫科技打开年出货量千万级的高端应用场景，同时也为国产存储产业链上下游带来系统性估值重估的契机。
8月10日，半导体板块内部分化显著，半导体设备ETF易方达（159558）盘中上涨2.42%。前一日（8月9日），据华尔街日报援引知情人士报道，苹果（AAPL.US）公司正在对中国存储芯片企业长鑫科技（688825.SH）（CXMT）的DRAM芯片进行技术验证，计划用于iPhone和MacBook产品线，若测试通过，将标志着中国存储芯片首次进入苹果核心产品供应链。
一、苹果供应链阀门松动，国产存储首次叩开核心大门
苹果对供应商的选择标准极为严苛，此前其DRAM供应长期由三星、SK海力士（SKHY.US）及美光三家主导。若长鑫科技最终通过验证并进入苹果供应链，意味着国产DRAM在性能、良率和可靠性方面已达到国际一线品牌的门槛要求。据华尔街日报报道，苹果考虑以中国市场专供机型的方式引入长鑫芯片，以兼顾供应链多元化需求和地缘政策约束。这一路径若成型，将为长鑫科技打开年出货量千万级的高端应用场景，同时也为国产存储产业链上下游带来系统性估值重估的契机。
二、半导体设备环节率先受益，CXMT扩产预期升温
从盘面表现看，半导体设备板块今日领涨，映射出市场对CXMT扩产逻辑的定价。若苹果订单落地，长鑫科技将面临产能爬坡需求，其对刻蚀、薄膜沉积、检测等关键设备的采购量有望显著提升。中微公司（688012.SH）的等离子体刻蚀机、拓荆科技（688072.SH）的CVD/PVD设备、北方华创（002371.SZ）的综合性半导体装备均为存储芯片产线的核心环节，华峰测控（688200.SH）的测试设备亦直接受益于存储芯片出货量增长。设备环节的业绩弹性与CXMT的资本开支节奏高度相关，当前市场正在提前定价这一预期。
三、商业化落地尚需时日，短期情绪催化为主
需要指出的是，苹果对长鑫芯片的测试目前仍处于早期阶段，从技术验证到量产导入通常需要12至18个月以上的周期，最终是否采用及采用规模仍存在不确定性。此外，全球存储芯片市场周期性波动特征明显，DRAM价格在经历前期上涨后，下半年供需格局可能趋于平衡。短期来看，该事件更多是情绪层面的催化，为国产存储产业链提供了估值修复的叙事逻辑，但业绩兑现仍需等待订单落地的实质性信号。
四、核心标的逐一拆解
中微公司早盘上涨4.50%，报384.20元。公司是国内等离子体刻蚀设备龙头，产品已进入国内外多条存储芯片产线，在CXMT等客户的3D NAND和DRAM扩产中均有深度参与，刻蚀设备国产替代进程持续加速。
拓荆科技早盘上涨4.32%，报720.50元。公司专注于CVD和PVD薄膜沉积设备，是存储芯片制造中介质层、阻挡层等关键薄膜工艺的核心供应商，在CXMT产能扩张周期中设备需求弹性较大。
北方华创早盘上涨1.86%，报766.00元。公司是国内综合性半导体设备平台龙头，覆盖刻蚀、薄膜、清洗、炉管等多个工艺环节，在存储芯片制造中提供一站式设备解决方案，客户覆盖国内主要存储产线。
江波龙（301308.SZ）早盘上涨5.04%，报406.10元。公司是国内存储模组龙头，产品覆盖嵌入式存储、固态硬盘和移动存储，若国产DRAM芯片进入苹果供应链，将带动存储模组环节的品牌溢价和市场份额提升。
芯源微早盘上涨2.02%，报317.11元。公司是国内涂胶显影设备龙头，产品覆盖前道晶圆制造和后道先进封装，在存储芯片光刻工艺中不可或缺，受益于国产存储产线扩产带来的设备需求增长。
华峰测控早盘上涨2.21%，报417.51元。公司是国内半导体测试设备龙头，覆盖模拟、混合信号及存储芯片测试，在存储芯片出货量增长和国产替代双重驱动下，测试设备需求有望持续扩大。
五、关注思路
苹果测试长鑫存储芯片这一事件，映射出国产存储产业链在三个维度的积极变化：一是国产DRAM技术实力获得国际顶级客户的初步认可，打开了从低端向高端应用跃迁的空间；二是CXMT扩产预期推动半导体设备环节订单增长，刻蚀、薄膜沉积、检测等设备供应商直接受益；三是存储模组、封装测试等下游环节有望跟随国产DRAM生态的壮大而实现份额提升。
半导体设备ETF易方达（159558）跟踪中证半导体设备指数，聚焦刻蚀、薄膜沉积、检测等半导体制造核心设备环节，中微公司、拓荆科技、北方华创等权重股在存储芯片扩产周期中具备较高的业绩弹性。科创芯片ETF易方达（589130）跟踪上证科创板芯片指数，覆盖半导体全产业链，在存储芯片国产替代主题中提供更广泛的行业敞口。

　　近期，国产半导体产业有望迎来标志性突破。据《华尔街日报》报道，苹果公司正在其iPhone和MacBook等产品线中测试中国头部存储芯片厂商的产品，以缓解AI热潮引发的内存短缺问题。报道称，苹果已与国内最大芯片制造商就零部件供应展开初步洽谈，目标率先在中国市场销售的设备中使用相关芯片。与此同时，惠普、宏碁等PC厂商也已开始在非美国市场机型中采用长鑫存储的DRAM芯片。
　　这标志着国产存储芯片首次打入全球顶级消费电子供应链——若苹果测试顺利并最终导入，将直接印证国产DRAM在性能、良率和可靠性上已接近国际一线水平，有望催化市场对整个国产半导体产业链的估值重估。
　　海外存储芯片巨头再度扩张。8月7日，SK海力士宣布将投资384亿美元在韩国本土扩张芯片业务，以应对AI时代持续增长的存储器需求。具体而言，SK海力士计划在清州的M17芯片厂投资19.1万亿韩元（134.7亿美元），投资将在2031年前完成；计划在龙仁投资35.2万亿韩元（约249 亿美元）用于第二阶段芯片厂建设。
　　近期，SK海力士、三星电子、铠侠等存储芯片厂商接连交出2026年第二季度成绩单，财报呈现出AI算力催生的高景气度。以SK海力士为例，其DRAM均价环比上涨30%，NAND均价环比上涨50%，直接带动营收环比增长51%、营业利润环比增长61%。
　　在半导体设备材料赛道的长期景气逻辑支撑下，资金持续加仓半导体上游核心环节。Wind和交易所数据显示，人气产品——科创半导体设备ETF华泰柏瑞（588710）上周五（26/8/7）单日获近6亿元资金净流入，自6月15日以来累计吸金95.38亿元，上周日均成交额超25亿元。资金的踊跃布局助推该ETF最新份额达34.48亿份，规模达107.83亿元、创下历史新高，年内分别增长505%和1117%。
　　科创半导体设备ETF华泰柏瑞（588710）跟踪指数为科创半导体材料设备指数，高纯度聚焦半导体上游“材料+设备”领域（申万三级行业占比合计89%），同时该指数“存储芯片”概念占比80%、“先进封装”概念占比67%，对晶圆厂资本开支、存储芯片扩产和国产替代进程具有较高产业敏感度。场外投资者可关注华泰柏瑞上证科创板半导体材料设备主题ETF发起式联接基金（A类024974/C类024975）。
　　100%科创板选股或赋予科创半导体材料设备指数较强弹性，历史表现超越部分主流同类指数。近一年该指数累计涨幅达184%，优于同期半导体材料设备主题指数（171%）、中证全指半导体指数（100%）、科创芯片指数（125%）、国证芯片（90%）等部分主流半导体主题指数。
　　半导体设备材料属于高弹性板块，投资者需关注高估值与交易波动风险，请投资者结合自身风险承受能力，理性判断，谨慎投资。不妨考虑配置的思路，搭配华泰柏瑞“红利全家桶”构建哑铃布局——进攻端通过布局高成长的科技赛道助力把握产业红利，防守端通过红利类资产争取平滑组合波动。
　　华泰柏瑞基金是国内首批ETF管理人，在指数投资领域深耕超19年，为投资者打造了沪深300ETF华泰柏瑞（510300）、A500ETF华泰柏瑞（563360）等投向透明、交易便捷、费率低廉的指数工具。截至2026年6月末，公司旗下ETF近两年累计为持有人盈利超1806亿元，是同期A股全市场仅有的三家累计盈利超1600亿元的公募基金公司之一。

来源：财联社
①获美法院初步禁令！国产CXO龙头司法反制1260H名单迎阶段胜利，有助于缓解美国客户的短期供应链顾虑，这家公司已将产品在美国的独家商业化权利授予A公司； ②SK海力士将在韩国投资384亿美元建设晶圆厂，机构称全球晶圆厂扩产和关键零部件供给不足，为国内设备及零部件企业创造了新的出海窗口，这家公司应用于存储芯片测试的探针台正处于客户端验证阶段； ③美国7月非农就业数据意外转弱，大幅降低美联储加息预期，推动美元走弱和黄金需求回升。

转自：财联社
财联社8月10日讯（编辑 李莹）SK海力士因奖金与薪酬调整方案陷入劳资对峙，HBM4扩产节奏面临考验；与此同时，三星电子HBM4产品良率突破80%黄金关口，两大韩系存储巨头围绕产能与市场份额的竞争持续升温。
当地时间8月9日，SK海力士与其工会完成第五轮谈判，但仍未能就奖金方案达成一致。业内指出，两方争议的焦点在于“利润分享奖金”的发放形式。
SK海力士此前设立利润分享机制：提取半导体事业部年度营业利润的10%设立员工奖金池。员工核算所得奖金的80%于当年发放，剩余20%分两年以现金兑付，该机制原定有效期10年。
去年劳资双方约定该奖金全部以现金发放；但资方今年提出，超半数利润分享奖金将置换为公司股票，且设置锁定期，谈判由此陷入停滞。
工会重点反对资方在仅时隔一年，就修改历经11轮谈判才敲定的奖金协议。
资方推出股票支付方案，意在缓解奖金快速上涨带来的大额现金流出压力，平衡发放奖金、资本开支与股东回报的资金需求。
企业方面称，此举可绑定员工与公司利益，提升企业长期价值。工会则反对该方案，认为该安排将股价下跌亏损风险、资本利得税负担转嫁给员工。
除了上述有关奖金分配方案的分歧外，资方提出的亏损阶段薪资调整提案同样毫无进展。资方逻辑为，存储芯片行业景气周期分享利润，下行周期就应当灵活调整人力成本。工会予以驳斥，称该机制本质就是降薪工具。
不满情绪已经蔓延至谈判桌外。一个覆盖生产岗位、技术办公岗位的SK海力士工会筹备小组，自8月5日成立以来，三天内参与人数超3500人，短时间内集结了企业约10%的员工。
筹备小组意在凝聚劳方力量，已于当地时间8日提交工会组建申请，最早于下周正式成立。
有分析师指出，劳资纠纷久拖不决，或将成为第六代产品HBM4扩产的变量。
SK海力士计划第二季度启动HBM4批量出货，下半年正式大规模扩产。如果集体行动蔓延至生产一线，将对供货节奏造成压力。
双雄角逐HBM市场
有媒体于当地时间8月9日报道，三星电子HBM4近期良率已达到80%。
半导体行业中，80%良率也被称作“黄金良率”，是一道关键拐点。达到该良率意味着缺陷率可控、产出稳定，具备盈利基础。
一位业内人士表示：“三星电子最初设定的年终良率目标即为80%，但下半年量产规模提升后，工艺改善进度超出预期。”
业内指出，三星电子该产品2月刚启动量产时良率不足60%，而后仅用六个月实现良率企稳，HBM市场竞争由此从技术研发比拼转向产能争夺。
三星存储业务高级副总裁Kim Jae joon在上月二季度财报电话会上表示：
“第三季度HBM4营收将较上一季度增长两倍以上，下半年HBM4营收占全部HBM总营收比重将轻松超过60%。”
业内指出，三星电子已定下目标，力争年底将自身HBM市场份额提升至约38%水平。38%为三星当前在传统DRAM市场的份额，公司希望HBM业务向这一市场地位靠拢。
SK海力士同样具备强劲的防守实力。SK海力士HBM销售及营销副总裁Kim Ki tae在二季度财报电话会上强调：
“只有具备稳定良率与品质的大规模供货能力，才算拥有完整的HBM4竞争力。目前HBM4量产良率、品质水平正趋近已经成熟的上一代HBM3E产品。”
业内判断，SK海力士HBM4良率同样已经迈入80%区间。
瑞银在近期报告中预测：若按HBM比特出货量统计，2026年SK海力士将以48%份额维持首位；2027年三星将以41%份额微弱反超SK海力士的39%。
HBM比特出货量是统计HBM芯片全部存储比特总容量的出货口径，用于衡量存储实际供给规模。
市场普遍认为，三星与SK海力士的HBM之争，将在明年量产的HBM4E市场见分晓。
有业内人士指出：扩产潜力突出的三星，以及量产品质具备优势的SK海力士，二者第四季度的供货扩张速度，或将决定未来的市场格局。
（财联社 李莹）

（来源：财闻）
此前这家芯片制造商确定将于第三季度公布股东回报细节，并宣布了扩大国内工厂的计划。
8月10日，SK海力士韩股一度上涨4.6%，此前这家芯片制造商确定将于第三季度公布股东回报细节，并宣布了扩大国内工厂的计划。NH Investment & Securities的一名韩国股票销售助理Peter Park在给客户的报告中写道，有传言称该公司正在准备100万亿韩元（710亿美元）的宏大股东回报计划，并可能提前至8月下旬披露。韩国基准股指KOSPI一度上涨2.2%，随后收窄涨幅；SK海力士（SKHY.US）ADR上周五收跌3.9%。

（来源：财闻）
SK海力士表示，将在韩国投资384亿美元建设晶圆厂，以应对AI时代持续增长的存储芯片需求。
8月10日，早盘半导体设备板块再度走强，盛美上海（688082.SH）双双涨超10%，京仪装备（688652.SH）、富创精密（688409.SH）、华亚智能（003043.SZ）、至纯科技（603690.SH）、中科飞测（688361.SH）等跟涨。
消息面上，SK海力士表示，将在韩国投资384亿美元建设晶圆厂，以应对AI时代持续增长的存储芯片需求。

来源：环球网
【环球网财经综合报道】近期，SK海力士、三星电子、铠侠等存储芯片厂商接连交出2026年第二季度成绩单。相比过去更多依靠手机、PC的消费电子领域，上述公司的最新财报则呈现出AI算力催生的高景气度，从DRAM板块下的HBM，到服务器DDR5，以及NAND板块的企业级SSD，消费电子主导的传统库存周期对存储芯片厂的业绩表现显著弱化。
以SK海力士为例，其DRAM均价环比上涨30%，NAND均价环比上涨50%，直接带动营收环比增长51%、营业利润环比增长61%。
Wind
据韩国《韩国经济》稍早前报道，SK海力士正在筹备一项包含股票回购和现金分红在内的股东回报方案，总规模预计约100万亿韩元，约合710亿美元。其中，股票回购规模预计达到40万亿韩元(约284亿美元)，约占公司已发行股份总数的2%以上。该规模与SK海力士此前为美国存托凭证（ADR）上市发行的新股比例接近。
相比去年约14.3万亿韩元的股东回报规模，包括约2.1万亿韩元现金分红和约12.2万亿韩元股票注销，此次方案规模增长约7倍。
SK海力士大规模回报计划的背后，是其在AI基础设施核心存储HBM（高带宽内存）市场中的领先地位。市场机构认为，随着AI算力需求持续增长，SK海力士盈利能力提升可能推动公司估值修复。此前汇丰曾指出，市场对SK海力士盈利周期的定价较为悲观，此次股东回报计划可能成为估值改善的重要因素之一。

8月10日，日韩股市集体高开，随后涨幅有所回落。
同花顺数据显示，截至北京时间8:19，韩国KOSPI指数涨1.29%，此前一度涨超2%。两大存储芯片巨头开盘直线拉升，截至发稿时，SK海力士涨超3%，此前涨超4%；三星电子涨近2%，此前涨超3%。日经225指数涨超1%。
据央视财经报道，SK海力士7日宣布，为应对人工智能时代对存储器需求的持续增长，决定在龙仁和清州建设新的晶圆厂。SK海力士在公司董事会会议上批准了总投资额约54.3万亿韩元（约合2600亿元人民币）的扩张计划，其中包括2031年10月31日前在龙仁半导体产业园投资35.2万亿韩元（约合1686.08亿元人民币）建设龙仁“Y2”工厂，以及2031年4月30日前在清州“M17”工厂投资19.1万亿韩元（约合914.89亿元人民币）。
据市场调研公司Omdia预测，从去年到2030年，DRAM和NAND闪存的市场需求预计将以19%的复合年增长率（CAGR）持续增长。SK海力士认为，这种增长并非短暂的超级周期，而是一场结构性转型，内存不再仅作为普通组件存在，而是成为决定人工智能性能的核心基础设施。

【SK 海力士宣布投资 54.3 万亿韩元，在韩国龙仁和清州建设半导体新工厂】项目涵盖晶圆厂、研发中心及配套设施，将生产 HBM、下一代 DRAM 和 NAND 闪存，应对 AI 芯片增长需求。#SK海力士半导体产能扩张#

IT之家 8 月 10 日消息，据外媒 The Elec 报道，SK 海力士宣布将投入总计 54.3 万亿韩元（IT之家注：现汇率约合 2,580.34 亿元人民币）建设位于韩国龙仁和清州的新半导体生产基地，以扩大先进存储芯片产能。其中龙仁半导体集群第二座晶圆厂（Y2）将投资 35.2 万亿韩元（现汇率约合 1,672.7 亿元人民币），清州新建 M17 NAND 闪存工厂将投资 19.1 万亿韩元（现汇率约合 907.63 亿元人民币）。
据报道，龙仁半导体集群第二座晶圆厂总建筑面积约 34.1 万坪（约 112.7 万平方米），主要用于生产高带宽内存（HBM）以及下一代 DRAM 产品。按照计划，该工厂预计将于 2027 年 7 月开始施工，首个无尘室预计于 2029 年 6 月启用，相关投资将分阶段持续至 2031 年 10 月。
SK 海力士表示，相应项目的投资范围不仅包括晶圆制造厂建设，还涵盖员工办公及福利设施等配套建筑、整合产品测试、分析和研发功能的一体化研发中心，以及污水处理设施、能源管道、变电站和仓储设施等基础设施。
而在清州 M17 NAND 闪存工厂方面，该工厂将成为 SK 海力士新的 NAND 闪存生产基地。公司表示，随着 AI 服务快速普及，尤其是企业级 SSD 需求持续增长，市场对 NAND 产品的需求正在提升，预计随着 AI 智能体和物理 AI 的进一步发展，NAND 闪存的应用场景将继续扩大。
目前，SK 海力士清州园区已经运营 M11、M12 和 M15 三座 NAND 生产工厂。公司表示，新工厂将通过与现有生产体系整合，提高整体制造效率。同时，该地区已经具备完善的土地、电力和供水等基础条件。
M17 工厂总建筑面积约 20.6 万坪（约 68.1 万平方米），计划于 2027 年 2 月开始施工，首个无尘室预计于 2028 年 12 月投入使用。相关投资将持续至 2031 年 4 月，并根据工程进度分阶段实施。