3D DRAM годами топчется на месте — масштабирование конденсаторов упирается в ограничения, технологические процессы чрезвычайно сложны, а выход годных изделий вызывает серьёзные проблемы.
Теперь компания NEO Semiconductor успешно завершила проверку концепции 3D X-DRAM, использующей архитектуру, аналогичную 3D NAND:
• Задержка менее 10 наносекунд
• Сохранение данных более 1 секунды при 85 °C (в 15 раз дольше стандарта JEDEC в 64 мс)
• Более 10¹⁴ циклов перезаписи
Тем временем, по слухам, $TSMC по запросу $NVDA начала разрабатывать дорожные карты развития 3D DRAM, поскольку дефицит памяти для ИИ становится всё острее.
Вертикальная DRAM — уже не просто теория: она движется к реальному пути массового производства. Если удастся масштабировать эту технологию, она изменит всю цепочку поставок памяти для инфраструктуры ИИ.
Посмотрим, как быстро отреагируют лидеры рынка. Возможно, именно этого прорыва так долго ждала индустрия ИИ.
Теперь компания NEO Semiconductor успешно завершила проверку концепции 3D X-DRAM, использующей архитектуру, аналогичную 3D NAND:
• Задержка менее 10 наносекунд
• Сохранение данных более 1 секунды при 85 °C (в 15 раз дольше стандарта JEDEC в 64 мс)
• Более 10¹⁴ циклов перезаписи
Тем временем, по слухам, $TSMC по запросу $NVDA начала разрабатывать дорожные карты развития 3D DRAM, поскольку дефицит памяти для ИИ становится всё острее.
Вертикальная DRAM — уже не просто теория: она движется к реальному пути массового производства. Если удастся масштабировать эту технологию, она изменит всю цепочку поставок памяти для инфраструктуры ИИ.
Посмотрим, как быстро отреагируют лидеры рынка. Возможно, именно этого прорыва так долго ждала индустрия ИИ.