Samsung и SK hynix модернизируют заводы по производству NAND-флеш-памяти в Китае.

Сегодня Reuters опубликовало эксклюзивную информацию:

Samsung планирует модернизировать завод в Сиане для выпуска 286-слойной NAND-памяти V9. К концу 2027 года компания рассчитывает выйти на производство 40 тысяч пластин в месяц.

SK hynix готовится выпускать на заводе в Даляне NAND-продукцию с 240 и более слоями.

Почему это заслуживает внимания?

Потому что конкуренция, с которой два южнокорейских гиганта рынка памяти сталкиваются в Китае, уже не та, что раньше.

По данным Omdia, во втором квартале этого года доля Yangtze Memory Technologies на китайском рынке NAND достигла 38,5%, превысив доли Samsung и SK hynix.

Раньше китайские производители памяти в основном догоняли международных гигантов, а теперь международным гигантам самим приходится всерьёз противостоять китайским конкурентам.

Однако модернизация не означает расширения производства.

Samsung заявляет, что соответствующая модернизация отвечает экспортным требованиям США и не предполагает наращивания мощностей. При этом ситуация с лицензиями на конкретное оборудование остаётся неопределённой.

В этом и заключается самое интересное в индустрии микросхем памяти:

технологии нужно совершенствовать, затраты — контролировать, рынок — не терять, а ограничения политики — учитывать.

Спрос на ИИ сейчас очень высок, но в бизнесе микросхем всегда важно не только то, у кого привлекательнее технические характеристики.