По данным CNBC, Samsung Electronics и SK Hynix модернизируют свои заводы в Китае, чтобы производить более современные чипы NAND-памяти, сообщили источники, знакомые с планами. Samsung переоборудует предприятие в Сиане для выпуска 286-слойных чипов V9, планируя производить 5 000 пластин в месяц к декабрю этого года и 40 000 — к декабрю 2027 года. SK Hynix намерена перейти на заводе в Даляне от выпуска продукции со 192 слоями к чипам со 240 слоями или более. Обе компании заявили, что модернизация уже ведётся и проводится после консультаций с Вашингтоном. Правила США об экспорте требуют ежегодно получать лицензии на определённое оборудование, и Reuters не удалось установить, одобрили ли американские власти поставку всего оборудования, необходимого для запланированной модернизации.