Samsung Foundry планирует запустить в этом году платформу второго поколения 8LPU+ с техпроцессом 8 нм, ориентированную на автомобильные чипы, робототехнику и периферийный ИИ. По данным Sina Finance, по сравнению с предыдущим поколением 8LPU новый техпроцесс обеспечивает повышение производительности на 12%, снижение энергопотребления на 15% и уменьшение площади логики примерно на 8%.

В техпроцессе 8 нм используется оборудование для глубокой ультрафиолетовой литографии (DUV), тогда как для передовых техпроцессов 5, 4 и 2 нм требуются дорогостоящие установки экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV). Samsung сообщает, что в 8LPU+ на пластины FinFET по техпроцессу 8LPU интегрированы планарные устройства ввода-вывода с напряжением 3,3 В, что позволяет уменьшить площадь ввода-вывода примерно на 10%. Платформа также оснащена SRAM со сверхнизким током утечки и памятью eMRAM, соответствующей спецификациям Automotive Grade 1. Площадь ячейки составляет 0,017 квадратного микрометра, а плотность хранения — около 20 мегабит на квадратный миллиметр.

Ожидается, что этот процесс будет предназначен для микроконтроллеров с поддержкой ИИ и автомобильных блоков зонального управления. Samsung заявила, что среди потенциальных клиентов — нынешние заказчики её 8-нм техпроцесса и компании, разрабатывающие чипы без собственного производства и стремящиеся получить автомобильные сертификаты.