Согласно Sina Finance, генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг снова встретится с председателем Samsung Electronics Ли Джэ-ёном и председателем SK Group Чхве Тхэ-воном в Нью-Йорке 28-го числа по местному времени — примерно через два месяца после их встречи в Сан-Франциско в июле.

Внимание отрасли сосредоточено на высокопропускной памяти (HBM). В статье говорится, что HBM стала ключевым компонентом для продуктов Nvidia следующего поколения, и что шестое поколение HBM4 было применено к Vera Rubin, серийное производство которой Nvidia начала в этом году.

В отчете также говорилось, что Samsung Electronics и SK Hynix работают над совместной разработкой и оптимизацией более поздних продуктов, включая седьмое поколение HBM4E и восьмое поколение HBM5. Кроме того, отмечалось, что Samsung Electronics ускоряет сотрудничество с Nvidia в этой области, и что стороны обсудили долгосрочное взаимодействие по созданию HBM следующего поколения во время визита Хуанга в Южную Корею в июне.

Встреча в Нью-Йорке также может затронуть литейные услуги и передовую упаковку, которые в статье описывались как сильные стороны Samsung.