Samsung Electronics ускоряет строительство первой линии массового производства на заводе Pyeongtaek Campus 5 и обсуждает с крупными поставщиками оборудования перенос установки инструментов Ph1 с третьего квартала следующего года на второй квартал следующего года. Согласно ChainCatcher, площадка P5 — это производственная база полупроводников следующего поколения, рассчитанная на начало работы в 2028 году, а строительство чистой комнаты Ph1 стартовало в третьем квартале этого года.

Samsung уже ускорила завершение строительства чистой комнаты Ph1 примерно на шесть месяцев относительно первоначального целевого срока — на начало следующего года. Это указывало на ввод оборудования примерно в третьем квартале следующего года. По данным отраслевых источников, начало перемещения оборудования теперь рассматривается на май–июнь следующего года вместо июля–августа. При этом другой источник сообщил, что Samsung даже предложила принять оборудование в первом квартале следующего года и временно хранить его в другом месте.

Обсуждения также продолжаются по инвестициям в фазу P5 Phase 2. Сейчас Ph1 с большей вероятностью будет построена как линия DRAM и HBM, тогда как Ph2 с большей вероятностью станет усовершенствованной NAND-линейкой, включая V10. Источники в отрасли оборудования сообщили, что официальных заказов на покупку размещено не было, но Samsung обсуждала строительство Ph2 как NAND-линии и попросила партнеров заранее подготовить соответствующие компоненты из-за длительных сроков поставки оборудования.

В отчете говорится, что глобальные крупные технологические компании наращивают заказы на высокопроизводительную DRAM и NAND, используемые в инфраструктуре ИИ, в то время как производители памяти, такие как Samsung, имеют ограниченные мощности. Samsung сообщила на телефонной конференции по итогам второго квартала в июле, что неудовлетворенный спрос в этом году будет перенесен на следующий, что дефицит поставок в следующем году будет более серьезным, чем в этом, и что ожидается продолжение дефицита вплоть до 2028 года.