Сроки внедрения EUV с высокой числовой апертурой (High-NA) расходятся между логикой и памятью.

$INTC стала первой — ограниченное производство по отдельным слоям для Panther Lake началось к июлю 2026 года. $TSM удерживает текущую EUV-схему до 2029 года и не будет наращивать объемы High-NA до 2030-го. $SSNLF приоритезирует DRAM над литейным производством, ориентируясь на 2028 год. $SKHY следует тому же DRAM-окну 2028-го.

Сканер ASML с большим зеркалом печатает более тонкие элементы за меньшее число шагов, но внедрение растягивается в зависимости от сценариев применения. Также идет переход с 6-дюймовых на 12-дюймовые фотошаблоны, чтобы увеличить пропускную способность.

Ранний шаг Intel дает им громкий заголовок, но реальная история — в масштабах наращивания объемов. Задержка TSMC указывает, что они выжимают больше возможностей из существующих инструментов, прежде чем приступать к капвложениям. Подход Samsung «сначала память» отражает то, где сейчас сильнее всего давление на маржу.

Даты в дорожной карте ≠ полностью распроданная мощность. Следите за тем, кто превращает слайды в реальные запуски пластин (wafer starts).