(Источник: Caixun)

Samsung, SK hynix и Micron Technology в полном объеме повышают выход годных (yield) HBM4, чтобы поддержать показатели с высокой валовой маржой; выход годных напрямую определяет размер прибыли.

22 июля, как сообщают зарубежные источники Caixun, Samsung Electronics, SK hynix (SKHY.US) и Micron Technology (MU.US) — три крупнейших производителя микросхем памяти — полностью развернули конкуренцию за выход годных HBM4. Как шестое поколение высокоскоростной памяти, HBM4 будет применяться в AI-ускорителях вроде Vera Rubin, которые NVIDIA (NVDA.US) планирует представить во второй половине года, став ключевой опорой для корпоративных финансовых результатов во второй половине года.

Samsung уже первой наладила серийное производство HBM4; по оценкам отрасли, ее выход годных близок к 70%. Это стало возможным благодаря постоянному эффекту от 1C-процесса DRAM (в начале года выход годных стабильно превышал 80%), что существенно усилило возможности контроля выхода годных.

SK海力士虽未公布精确良率，但行业判断其已进入稳定区间。为巩固超半HBM市场份额，其正洽谈引进新生产设备，以优化工艺并扩大产能。

美光因产能基础相对薄弱，正加速推进良率爬坡与大规模设备投资，同步提升产出能力。

良率（合格芯片占比）直接决定交付量与盈利空间，是厂商攻坚核心。尽管此前通用DRAM短期利润反超，但其涨价空间已趋缓（一季度近翻倍、二季度30%–50%、三季度0%–20%），而HBM需求持续扩张、高毛利优势将重归主导。

业内人士表示：“三星抢先落地 HBM4 量产，良率提升带来的供货增量、利润增长已经在二季度财报中充分体现；下半年该趋势将延续，三大存储企业的良率竞争会进一步白热化。”