Samsung vai usar o processo de 3 nm da TSMC para as wafers de base HBM da próxima geração da NVIDIA, segundo notícia

Primeira colaboração anunciada: A Samsung Electronics planeia usar o processo de 3 nm da TSMC para fabricar wafers de base para a memória personalizada de alta largura de banda (HBM) da próxima geração da NVIDIA, noticiou o Seoul Economic Daily.

Requisitos da NVIDIA: Segundo notícias, a NVIDIA pediu à Samsung, à SK Hynix e à Micron que utilizassem o processo da TSMC para as wafers de base da NVHBM e adotassem DRAM de sexta geração para os dies de núcleo da memória.

Arquitetura de memória personalizada: A NVHBM integra o controlador de memória personalizado da NVIDIA no substrato, com o objetivo de uniformizar a implementação junto de vários fornecedores de memória.

Samsung aceita a proposta: Segundo notícias, a Samsung concordou após uma análise interna, mas continuará a produzir internamente HBM padrão e produtos de memória personalizados para outros clientes.

Produção alternativa em análise: A Samsung está também a avaliar se a sua própria unidade de fundição poderá fabricar as wafers de base da NVHBM caso a procura exceda a capacidade disponível da TSMC.

Conclusão principal: O acordo noticiado poderá aprofundar a cooperação entre a Samsung e a TSMC, proporcionando ao mesmo tempo à NVIDIA uma cadeia de abastecimento mais uniformizada para a sua tecnologia de memória de IA da próxima geração.