Resumo rápido
As ações da Navitas Semiconductor (NVTS) dispararam 20% durante a sessão estendida de segunda-feira.
A empresa garantiu uma seleção do Exército para a iniciativa ALATTIS, focada em criar semicondutores de carboneto de silício (SiC) de 10 kV.
As ações continuaram sua alta, ganhando mais 12% para atingir US$ 13,15 nas horas de pré-mercado de terça-feira, embora ainda muito abaixo do pico de maio, de mais de US$ 30.
Esse avanço ocorre após um período desafiador, marcado por perdas financeiras e tensões legais com a Wolfspeed (WOLF).
A empresa não revelou o valor monetário do acordo militar.
As ações da Navitas Semiconductor (NVTS) tiveram uma alta dramática de 20% na sessão de after-hours de segunda-feira. A alta ocorreu após a notícia de que a empresa de semicondutores garantiu um importante contrato militar do Exército dos Estados Unidos.
O impulso positivo se estendeu aos primeiros negócios de terça-feira, com as ações subindo mais 12% para US$ 13,15 antes do sino de abertura. Apesar dessa alta, a ação permanece significativamente abaixo do patamar de US$ 30 que atingiu brevemente durante as sessões de negociação de maio.
A Força Militar escolheu a Navitas para participar da iniciativa ALATTIS. Esse acrônimo representa Accelerated, Large-Area, 10 kV SiC IGBT.
Esta iniciativa apoiará pesquisa e desenvolvimento de eletrônica de potência em silício-carbeto de altíssima tensão. Os semicondutores em questão são projetados para lidar com 10.000 volts, superando substancialmente as especificações de semicondutores de potência convencionais.
O Army Research Laboratory atua como patrocinador do programa. A iniciativa opera dentro do quadro do US Army Combat Capabilities Development Command.
O fabricante de semicondutores superou empresas americanas concorrentes de silício-carbeto para garantir este prêmio. Autoridades militares citaram as capacidades avançadas de alta tensão da empresa e instalações de produção baseadas nos Estados Unidos como fatores decisivos.
Objetivos Militares por trás da Parceria
O objetivo principal envolve estabelecer e validar um fluxo de produção baseado no país para esses semicondutores sofisticados. A iniciativa abrange trabalhos de design, processos de fabricação e validação abrangente dos dispositivos.
Os esforços de desenvolvimento se concentrarão em transistores bipolares com porta isolada de silício-carbeto (insulated-gate bipolar transistors) de 10 kV, comumente conhecidos como IGBTs. O escopo também se estende a tecnologias complementares de diodos PiN.
Esses componentes miram a implantação em aplicações militares críticas. O Joint Experimentation and Technology Accelerator se comprometeu a apoiar esta iniciativa.
A Navitas escolheu não revelar detalhes financeiros específicos sobre o acordo. O possível impacto da receita permanece não divulgado por representantes da empresa.
Desafios Recentes para a Empresa de Semicondutores
Essa parceria militar surge durante um período turbulento para a empresa. Relatórios financeiros de trimestres anteriores indicaram prejuízos operacionais.
A empresa também lidou simultaneamente com um contencioso conflito de propriedade intelectual com a fabricante de semicondutores concorrente Wolfspeed (WOLF). Essa batalha legal prejudicou a confiança do mercado.
As cotações subiram além de US$ 30 durante maio, à medida que participantes do mercado antecipavam uma demanda substancial por semicondutores de potência voltados para a infraestrutura de computação de IA. Os valores caíram consideravelmente nos meses seguintes.
Siddarth Sundaresan, atuando como Diretor de Tecnologia (Chief Technology Officer) da Navitas, caracterizou o prêmio militar como uma conquista significativa para as iniciativas da empresa de semicondutores de ultra-alta tensão. Ele citou mais de duas décadas de experiência acumulada neste domínio tecnológico.
O portfólio de produtos de silício-carbeto (silicon carbide) GeneSiC da empresa abrange faixas de tensão de 650 volts até 6,5 quilovolts. A empresa afirma posição pioneira em várias categorias de produtos, incluindo tiristores de 6,5 kV lançados em 2010.
Outras inovações incluem diodos PiN de 10 a 15 kV lançados em 2012 e MOSFETs de silício-carbeto (silicon carbide) de 6,5 kV introduzidos em 2021. Essas ofertas constituem a base do setor de defesa e das operações de semicondutores industriais.
Atualmente, analistas de mercado continuam a destacar a demanda por infraestrutura de data center de IA como o principal catalisador do desempenho das ações da Navitas. Esse contrato militar estabelece uma fonte adicional de receita além das operações comerciais existentes.
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