A SAMSUNG VAI TRAZER A LITOGRAFIA EUV HIGH-NA DA ASML PARA A PRODUÇÃO DE DRAM ATÉ 2028
A Samsung planeja usar a EUV High-NA $ASML em futuras produções em alto volume de DRAM até 2028, o que as empresas dizem que seria um feito inédito na indústria.
A Samsung também está se juntando a um esforço para mover fotomáscaras de semicondutores do formato padrão de 6 polegadas para 12 polegadas, com o objetivo de melhorar a produtividade da fábrica, reduzir os custos de fabricação e eliminar limitações de alinhamento (stitching) na produção com EUV High-NA.
A parceria ampliada abrange tanto memórias avançadas quanto a fabricação de semicondutores da próxima geração.
A Samsung planeja usar a EUV High-NA $ASML em futuras produções em alto volume de DRAM até 2028, o que as empresas dizem que seria um feito inédito na indústria.
A Samsung também está se juntando a um esforço para mover fotomáscaras de semicondutores do formato padrão de 6 polegadas para 12 polegadas, com o objetivo de melhorar a produtividade da fábrica, reduzir os custos de fabricação e eliminar limitações de alinhamento (stitching) na produção com EUV High-NA.
A parceria ampliada abrange tanto memórias avançadas quanto a fabricação de semicondutores da próxima geração.
