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　　中新经纬8月5日电 据路透社报道，三星电子和SK海力士正在评估中微半导体(AMEC)的芯片制造设备，准备在中国工厂使用。
　　消息人士称，三星电子和SK海力士大约两年前就已开始测试中微半导体的蚀刻设备。当时，美方是否会继续允许将美国芯片制造工具进口到中国的不确定性越来越大。
　　路透社认为，上述两大韩国知名半导体企业的测试，凸显了美国对技术控制的巨大悖论，想限制竞争对手的半导体发展，实际上正在创造机会。
　　三星方面在一份声明中向路透社否认了上述消息，SK海力士则拒绝置评。
　　报道称，三星电子在西安经营NAND闪存芯片工厂，SK海力士在大连拥有NAND工厂、在无锡还有DRAM存储芯片工厂。有消息称中微半导体的设备已被中国领先的芯片制造商使用，这让三星和SK海力士更加相信，一些系统已经足够成熟，可以进行测试。(中新经纬APP)
编辑：付健青
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8月5日消息，据报道，韩国股东团体对三星电子和SK海力士的CEO提起刑事诉讼，指控其奖金不受集体谈判协议约束，警方已对此案展开调查。
另据界面新闻，韩国股东权益组织于7月22日向韩国国家调查本部举报三星电子两名首席执行官全永铉、卢泰文以及SK海力士首席执行官郭鲁正，指控三人涉嫌违反信任义务。该组织认为，两家公司以经营利润为资金来源发放的业绩奖金不应纳入劳资集体谈判范围，并指责相关高管在未充分审查协议的情况下接受奖金要求，可能导致公司资产流失。
据悉，三星电子和SK海力士此前已分别与员工达成薪酬协议。根据5月签署的协议，三星将向员工提供相当于经营业绩收益10.5%的半导体特别绩效奖金；SK海力士则实行利润分享制度，将半导体部门营业利润的10%用于员工奖金分配。
二级市场上，截至发稿，SK海力士涨超6.7%，三星电子涨超3.6%。
校对|张锦河
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全球存储专利领域正从传统的美国、日本、韩国三强格局，向中国、美国、日本、韩国四方制衡格局演变，中国企业首次在核心技术专利层面获得对等谈判筹码。
文｜钱丽娜
ID | BMR2004
7月29日深夜，长江存储发布声明，否认网传“美国专利商标局裁定其核心3D NAND专利全部无效”及“相关概念股全线暴跌”等不实信息，并透露自2023年11月起已在美对美光发起专利侵权诉讼（涉27项专利、295项权利主张，目前审理中）。公司强调坚持自主创新、合规经营，保留追责权利。
专利实力是长江存储的核心壁垒，也是其推进资本化进程的底气所在。在此前的7月10日，证监会官网披露，长江存储已完成首期辅导工作，中信证券和中信建投合计派出31人组成“辅导天团”，规模远超一般IPO项目，与长鑫科技IPO时的34人辅导阵容基本持平，侧面印证了项目的复杂度与战略级重要性。
长江存储成立于2016年，总部位于湖北武汉，是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM（Integrated Device Manufacture，垂直整合制造）企业。
如此豪华的上市辅导阵容，与存储市场的爆发和公司在存储领域的产业地位不无关系。Counterpoint最新发布的《NAND闪存市场追踪报告》显示，受人工智能基础设施需求激增拉动，2026年一季度，全球NAND闪存市场营收达到460亿美元，较2025年一季度暴涨3.5倍。三星稳居行业榜首，市占率29%；SK海力士、铠侠分列其后。长江存储增长势头迅猛，市占率从去年同期的8%提升至13%，持续缩小与闪迪、美光的差距，成为行业第三的有力角逐者。报告显示，长江存储是本季度市场表现最亮眼的厂商，营收同比增幅接近445%。
公开信息显示，长江存储股东涵盖国家集成电路产业投资基金、地方产业平台、金融投资机构及员工持股平台，无单一控股股东。第一大股东湖北长晟发展有限责任公司持股26.5442%，第二大股东武汉芯飞科技投资有限公司持股25.35%，国家集成电路产业投资基金一期、二期合计持股约23%，武汉光谷产业投资有限公司持股9.26%。此外，中国银行、建设银行、交通银行、农业银行、工商银行旗下金融资产投资公司合计持股约3%。
作为华中地区“第一芯”，在AI引发的存储芯片短缺风潮中，即将上市的长江存储的业绩是受惠于芯片周期，还是自身具备了内生增长的动能？长江存储在芯片专利上的突破和布局似乎能给出部分答案。
01
从零起家的华中“第一芯”
长江存储成立时，遇到了市场、资金和人才的大好时机。
长江存储的前身要追溯到武汉新芯。2006年，在中芯国际创始人张汝京推动下，湖北省、武汉市及东湖高新区三级政府出资成立武汉新芯，建成华中地区首条12英寸芯片生产线，总投资超百亿元，是湖北省历史上最大的单体投资项目。
武汉新芯刚成立时，由于湖北省和武汉市政府没有电路制造管理经验，便将其交由中芯国际管理。武汉新芯初期生产DRAM，但不久遇到全球DRAM市场的价格暴跌，使其不得不将产品线转向NAND。
早期，武汉新芯的产品主要覆盖消费类、工业物联网、汽车电子等各类终端市场。2008年，武汉新芯12英寸生产线正式完工并开始投片。同年，美国飞索半导体成为客户，武汉新芯为其代工NAND闪存，积累了芯片制造的经验和技术。美国飞索半导体成立于2003年，由AMD和富士通两家的闪存业务合并成立，是当时全球最大的专业从事闪存开发、生产和营销的跨国企业，在NOR闪存的市场占有率处于世界领先地位。
然而，在2008年金融危机中，美国飞索半导体申请破产保护，双方的合作一度暂缓，武汉新芯陷入订单不足的窘境。投入巨资而不能实现盈利时，台积电、美光等企业都曾试图入股或收购武汉新芯。
2012年8月，中芯国际原COO杨士宁博士加入武汉新芯，2013年，武汉新芯开始独立运营。杨士宁到任后，搭建完备的研发、运营、市场管理架构，培育本土专业团队，确立自主研发发展方向。
2013年，兆易创新成为武汉新芯的重要客户，其采购金额达到6549万元，占采购总额比例达9.45%。
2016年7月26日，长江存储正式成立，总投资达240亿美元。公司注册资本分两期出资，其中一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业(有限合伙)和湖北省科技投资集团有限公司共同出资，在武汉新芯的基础上建立长江存储，武汉新芯成为长江存储的全资子公司，规划产能为10万片/月。二期由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。公司在成立之初即明确了发展方向：专注于3D NAND闪存的设计、制造与销售，目标成为全球领先的存储器制造商，杨士宁担任长江存储总经理。
2018年出版的《芯事》一书中提到，杨士宁当时分析认为，从半导体存储器技术分类来看，DRAM和NAND闪存的总产值占全球存储器产业的绝对主体。当时DRAM的增长需求相对缓慢，而NAND闪存的需求量将随着云端运算、智能终端机的发展而持续增长10倍。大陆市场的内在需求庞大，占全球市场的一半以上。长江存储成立时，遇到了市场、资金(国家“大基金”的资金和政策支持)和人才的大好时机。
不过，利好加持的另一面，是存储芯片行业具有技术差距大、行业集中度高、周期性强、资金投入大的特性，杨士宁面对着一个非常艰巨的国产化挑战。
早在2014年10月，长江存储3D NAND项目正式启动之时，杨士宁就意识到，唯有自主创新，才能弥合与全球头部厂商明显的技术差距。彼时，3D NAND闪存通过垂直堆叠存储单元形成存储串结构，突破传统的X/Y平面微缩限制，为NAND闪存的微缩路径拓展出更广阔的前景，但制造工艺复杂。在国际上，三星、美光、SK海力士、铠侠等公司通过持续的工艺创新，不断推高堆叠层数。
2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款32层 3D NAND闪存，三星已在同年量产64层产品，技术代差明显。正是基于这一清醒认知，长江存储从起步阶段就以突破性自主架构为突围方向，快速追赶国际先进水平。
2018年8月，长江存储在全球顶级闪存峰会“Flash Memory Summit”上发布了其革新技术晶栈?Xtacking?架构，并一举斩获大会最高荣誉“最具创新初创闪存企业”奖项。至2025年，长江存储正式出货第五代3D TLC NAND闪存，总层数达到294层，拥有232个有源层，基于完全自主知识产权的Xtacking 4.0技术。
在晶栈?Xtacking?架构推出前，市场上的3D NAND主要分为传统并列式架构和CuA（CMOS under Array）架构。长江存储通过创新布局和缜密验证，经过长达9年在3D IC领域的技术积累和4年的研发验证后，终于将晶圆键合这一关键技术在3D NAND闪存上得以实现。传统3D NAND把“存储仓库”和“控制电路”做在同一片晶圆上，互相干扰。晶栈?Xtacking?架构则把两者分开做在两片晶圆上。第一片晶圆专门盖“存储仓库”，想堆多少层就堆多少层，第二片晶圆专门做“控制高速公路”，用最先进的工艺保证速度快，最后用混合键合技术把两片晶圆精准粘在一起，精度要求正负0.5微米。这一技术的优势是存储密度更高、速度更快、研发周期更短。随着层数的不断增高，基于晶栈?Xtacking?所研发制造的3D NAND闪存将更具成本和创新优势。
02
打响攻防一体专利战
长江存储在技术上取得领先优势后，开始利用国际规则为自己的长远发展布局。
知识产权（IP）是芯片企业竞争的利器，存储芯片专利几乎都被国际巨头垄断。如果中国存储厂商在大力投入下取得相应的成就，随之而来不可避免的就是专利战。在长江存储凭借独创的晶栈?Xtacking?架构实现了3D堆叠技术的换道超车后，有韩媒报道，三星电子跟长江存储签署了3D NAND混合键合专利许可协议，从下一代闪存芯片（V10 NAND）开始使用长江存储的专利技术，特别是“混合键合”技术。而与创新技术相关的专利攻防战也随即开启。
长江存储在技术上取得领先优势后，开始利用国际规则为自己的长远发展布局。公开信息显示，长江存储围绕晶栈?Xtacking?架构的全球专利超12800件，混合键合核心专利119件。对此，北京中银律师事务所党委书记、高级合伙人李征认为，一套成熟的存储核心架构专利矩阵，通常遵循由内而外的4层布局逻辑。首先，最核心的是基础架构专利，像晶栈?Xtacking?这样“两片晶圆分离制造再键合”的整体架构设计，专利数量不多但价值最高，是整个技术路线的根基，只要对手走同一条技术路线就很难绕开。其次，是工艺专利，涵盖混合键合的具体工艺参数、刻蚀方法、堆叠技术等实现层面的技术，数量比架构专利多，用来保护具体的制造路径。再次，是应用衍生专利，就是基于核心架构针对不同应用场景做的优化变种，比如针对手机消费级场景优化的、针对数据中心企业级场景优化的、针对车载高可靠性场景优化的不同版本，把核心技术的价值延伸到各个细分市场。最后，是外围控制IP，包括控制电路、接口技术、纠错算法等周边配套技术，虽然不是最核心的，但数量庞大，能形成包围圈，大幅增加对手的规避难度。
李征指出，过往中国芯片企业在专利布局上吃过不少亏。DVD时代，中国厂商的产量位居全球第一，但核心专利都掌握在国外6C联盟手中，每台机器要交十几美元专利费，最后盈利抵不上专利费。华为、大疆早年出海也频繁遭遇专利诉讼，此后才开始大规模系统性地布局专利。不少中小企业只在中国申请专利，产品卖到欧美后才发现专利有国界，一出国门就被起诉。
专利布局有两种策略：防御型专利布局是将开发自家产品所产出的研发成果进行专利保护，目的是防止他人抄袭自家产品；而进攻型专利布局则是在竞争对手的技术路径上布局专利，使得竞争对手的产品落入专利权范围。防御型专利布局的好处是成本低、针对性强，主要围绕自己的产品申请专利保护自己不被起诉，但只能被动挨打，没法主动出击。
长江存储在晶栈?Xtacking?上采取的是攻防一体、全球同族同步申请的布局，从一开始就避免了大量潜在问题。攻防一体意味着专利不仅用来自保，还能主动起诉侵权者，谈判桌上有硬通货；全球同族同步申请则是同一天在中国、美国、欧洲、日本等主要市场提交申请，既避免了“先在国内公开再去国外申请丧失新颖性”的问题，也防止了自己在不同国家的申请互相成为抵触申请。
但晶栈?Xtacking?专利同步在中国、美国、德国、英国、欧洲布局时，要面对各国审查标准差异带来的风险，最核心的差异体现在创造性标准上。相对来说美国比较宽松，更看重“商业成功”“长期未解决的需求”这类辅助因素。欧洲最为严格，采用“问题—方案”法来判断显而易见性。显而易见性是指对这个领域的普通工程师来说，某项技术方案是不是“动动脑子就能想出来”，如果是显而易见，说明没有创造性，则不能授权，因而很多在中国和美国能授权的专利到了欧洲可能被驳回。中国专利申请目前居中，逐渐和国际接轨，主要通过“三步法”来判断：即确定最接近的现有技术；确定发明的区别特征和发明实际解决的技术问题；和判断要求保护的发明对本领域的技术人员来说是否显而易见。
另一个重要差异是公开充分性。欧洲的要求最高，专利说明书必须写得足够详细，让本领域技术人员照着就能复现出来。而美国相对宽松，可以保留一些技术细节。此外各国对权利要求的解释规则也不一样，同样的文字在不同国家可能解读出不同的保护范围。
李征指出，这些差异会带来三个布局风险：一是同一个专利家族在不同国家的命运可能不一样，有的授权有的驳回，保护范围碎片化；二是写专利申请书的时候要同时兼顾三套标准，撰写难度和成本都很高；三是对手可以在不同国家分别发起无效挑战，专利权人要疲于应付。所以做全球专利布局一定要提前研究各国标准，在撰写阶段就做好针对性设计。
03
起诉美光
企业如果遭遇出口管制和对方主体抗辩，一定要提前做证据预埋。
2023年，长江存储在美国起诉美光某些3D NAND产品侵犯其8项美国专利，后续又追加了20项左右的专利侵权；美光则同步向美国专利及商标局提起了大量针对长江存储的知识产权无效挑战。
李征说，在跨境专利诉讼中，被告通过反诉策略牵制原告诉讼节奏是常见的抗辩手段。以美光为例，在长江存储以8项专利提起侵权诉讼后，美光随即针对长江存储提起专利侵权反诉，并同步向美国专利及商标局提起多项多方复审无效挑战，形成“不侵权抗辩+反诉+专利无效”的组合抗辩策略，旨在通过多线作战分散原告精力、干扰诉讼节奏。
从涉外知识产权律师的角度看，企业如果遭遇出口管制和对方主体抗辩，一定要提前做证据预埋。长江存储案中，美光的抗辩逻辑很清晰：先主张长江存储是国资背景、受中国政府控制，再加上被列入美国实体清单属于受管制实体，最后推导出来它不是“真实利害关系人”，没有资格在美国起诉。
李征建议，要应对这种抗辩，企业需要提前从五个方面预埋证据：第一是公司治理独立性证据，比如公司章程、董事会决议记录，证明企业是市场化运营的市场主体，不是政府的工具；第二是专利权属清晰的证据；第三是实际受损的证据；第四是合规运营证据；第五是全球同族专利布局的证据，证明这是全球性的技术资产布局，不是专门针对某个国家的。目前这个案件里美国专利及商标局曾部分采纳美光的抗辩，但后续法院还在审理中，最终结果还需要观察。
在案件证据开示阶段，长江存储申请调取美光蚀刻配比等核心工艺文件，但美光以商业秘密、国家安全抗辩，法院出具保护令（Protective Order）强制披露。李征认为，跨境专利诉讼中的涉密技术证据开示，是知识产权案件中高度敏感的核心环节。在案件中，双方围绕核心工艺参数的披露产生了重大争议。法院最终裁定美光须在保护令框架下向原告方披露相关技术证据。
长江存储在美国与美光开打专利战时，同时在欧洲统一专利法院、德国、英国起诉美光及其分销商安富利。在李征看来，这种多国平行诉讼是现在跨境专利战的标准打法，策略价值非常明显。
首先是能全面封杀市场，真正形成压力。其次是各国诉讼策略上可以互补，德国审理速度快，适合快速拿到禁令给对方施压，美国赔偿金额高、证据开示范围广，适合打损害赔偿、挖对方内部资料；欧洲统一专利法院效率最高，一纸判决覆盖多个欧盟成员国，但相应的风险也最大，输了就是全军覆没。最后是增加谈判筹码，对方要同时在好几个国家应诉，律师费、人力成本都是成倍增加，压力大了自然更愿意坐下来和解。最后是判决可以互相影响。
李征认为，长江存储连同分销商安富利一起告，这一策略的好处一是让整个销售链条都停下来，禁令的实际效果更好；二是分销商所在地的法院也有管辖权，等于多了可选的法院选项。各国禁令标准和损害赔偿计算方式的差异，也给原告留下了很多博弈空间，可以根据不同法院的特点设计不同的诉讼重点。
04
竞争格局重构 核心技术成为三星绕不开的专利
混合键合技术已成为下一代产品研发的必选技术路径，厂商的技术选择空间大幅收窄。
三星由于晶栈?Xtacking?混合键合专利的不可规避性，与长江存储达成数千万美元级全球授权。李征认为，这是多重技术与专利因素共同作用的结果，并非单一专利的价值体现。
首先是技术路线，3D NAND堆叠层数达到一定数值后，传统单片晶圆架构遭遇物理极限，混合键合技术已成为下一代产品研发的必选技术路径，厂商的技术选择空间大幅收窄。
其次是专利布局的系统性与密集度。长江存储围绕混合键合技术布局了100多件核心专利，覆盖工艺方法、器件结构等多个技术维度，系统性规避数十件关联专利的技术难度与成本极高。
再次是基础架构专利的精准卡位，晶栈?Xtacking?“两片晶圆分别制造再垂直键合”的核心架构属于底层基础专利，采用该技术路线即难以实现完全规避。
最后是量产验证形成的技术成熟度优势，晶栈?Xtacking?架构已实现多代产品量产，相关专利技术经过实际生产验证，在稳定性与可靠性方面具备产业化优势，区别于实验室阶段的未验证专利。
从三星的决策维度分析，其并非完全缺乏替代选项：自主研发替代方案预计需3—5年的周期，且仍存在专利侵权风险，研发周期过长将错失市场窗口期；获取相关领域专利授权则存在技术适配性问题。综合评估技术可行性、研发周期与商业成本，直接获取长江存储专利授权是综合成本最优的技术路径。
头部存储企业间的专利交叉许可是行业长期形成的惯例。三星、美光、SK海力士等行业巨头各自拥有数万件专利储备，频繁的专利诉讼不符合双方商业利益，因此通常采取交叉许可方式解决争议——相互授权专利实施权，多数情况下互不收取许可费，或根据专利价值差异支付差额许可费，形成相对稳定的专利制衡格局。但在李征看来，三星向长江存储单向支付许可费之所以具有标志性意义，正是因为其突破了巨头间的传统许可模式。
李征认为，该交易的特殊性在于并非双向交叉许可，而是纯粹的单向许可付费，表明在混合键合这一关键技术领域，长江存储的专利实力形成了相对优势：三星持有的相关专利对长江存储不构成实质性约束，而长江存储的混合键合核心专利对三星具有不可替代性。
这一交易对全球存储专利许可格局的标志性影响体现在多个维度，最重要的是竞争格局重构，全球存储专利领域正从传统的美国、日本、韩国三强格局，向中国、美国、日本、韩国四方制衡格局演变，中国企业首次在核心技术专利层面获得对等谈判筹码。长江存储后续与其他头部企业开展专利交叉许可谈判时，将拥有核心技术筹码，改变此前相对被动的谈判地位。此外，晶栈?Xtacking?架构存在逐步成为下一代3D NAND事实技术标准的可能性，其专利价值将进一步放大。
05
长江存储专利战的启示
长期对等制衡的关键不是某一个点超越对手，而是形成“你中有我、我中有你”的格局。
李征指出，长江存储的专利布局有不少可复制的成功经验，但也有一些需要特别注意规避的法律坑。
可复制的经验主要有：1.架构创新先行。技术开发要找差异化的架构创新点，专利价值高，也不容易被抵触申请打掉。2.全球同步布局。3.分层构建专利矩阵。从最核心的基础架构，到具体的工艺方法，再到各种应用衍生以及外围控制IP，一层一层布防，形成专利网。4.攻防一体的思维，申请专利不能只想着保护自己，还要考虑这些专利能不能用来起诉竞争对手、能不能作为交叉许可的谈判筹码，要站在公司战略层面考虑专利布局。5.专利和量产同步推进。产品研发和专利申请要同步走，量产验证过的专利价值会高很多，诉讼的时候也更容易站住脚。
李征说：“长期对等制衡的关键不是某一个点超越对手，而是形成‘你中有我、我中有你’的格局——你告我侵权，我也能告你侵权，最后大家坐下来交叉许可，这才是真正的对等。目前长江存储在混合键合这个点上已经实现了突破，但整体上还需要继续积累。”
来源｜《商学院》杂志8月刊

【导读】一则利好，中微公司大涨超14%
中国基金报记者 李智
8月5日，中微公司盘中快速拉升，现涨超14%，成交额达89亿元，总市值为3470亿元。
消息面上，有报道称韩国三星电子和SK海力士正在评估中国中微半导体的芯片制造设备，考虑将其用于旗下中国工厂。目前，这两家韩国公司正全力规避美国收紧出口管制的风险。
不过，三星电子在给路透的声明中表示，并未在其中国工厂测试中微公司设备，也没有考虑这样做。SK海力士则拒绝置评。
8月3日，中微公司发布2026年半年度业绩预告，预计上半年实现营业收入约66.91亿元，同比增长34.89%；归母净利润为27亿元至29亿元，同比增长282.48%至310.81%。
中微公司表示，截至2026年6月底，公司累计已有超过8800个反应台在国内外220余条生产线实现量产。公司新产品研发速度显著加快，未来公司有望更大规模地推出有竞争力的新设备，并顺利进入市场。
编辑：杜妍
校对：乔伊
制作：鹿米
审核：陈思扬
注：本文封面图由AI生成
杨宗昌大腾挪、黄海买白酒、孟棋收缩AI……基金经理的“逃顶”时刻
002731，控股股东被立案！
芯片股暴涨：费城半导体指数涨超6%！闪迪、英特尔大涨超10%，SK海力士涨8%，美光涨7%
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（来源：中国基金报）

8月5日上午，受三星电子和SK海力士评估中微公司设备的提振，半导体设备ETF招商（561980）直线拉涨超7%！第一权重股（16%）中微公司大涨超12%，拓荆科技涨超9%，长川科技、华峰测控涨超7%，北方华创、华海清科等设备股全线拉升。
据报道，三星电子和SK海力士正在评估中国中微半导体（AMEC）的芯片制造设备，考虑将其用于旗下中国工厂，引发市场对国产设备“出海”逻辑的深度重估。
根据公告，中微公司预计2026年上半年实现营业收入约66.91亿元，同比增长约34.89%；归母净利润27亿元至29亿元，同比增长282.48%至310.81%。目前已开发出54种高端半导体设备，包括26种等离子体刻蚀机、24种薄膜设备等，单款设备开发周期由过去的3—5年缩短至2年以内，新产品导入节奏明显加快。
业内指出，三星、SK海力士评估中微设备动向，本质上是中国半导体设备从“国产替代”的被动选择迈向“全球竞争”的主动认可。据国金证券，目前中微多款自主研发设备已完成客户端验证，关键性能指标达到国际先进水平，部分指标优于海外标准配置，商业逻辑成立。
据深圳市电子商会数据，三星西安厂承担三星全球NAND产能的40%以上，是全球单个产能最高的NAND闪存工厂。SK海力士无锡工厂贡献其全球30%以上的DRAM产能，大连工厂占全球NAND产能的40%-45%。如果国产设备能够批量进入其供应链，那么将在国产替代之外打开海外“第二道增长曲线”。
若后续中微设备在三星/海力士中国工厂跑通，示范效应可能进一步向其在韩国本土或全球其他工厂扩散，加速验证国产设备厂商其他相关配套设备，彻底打开全球化破冰的新叙事。中国半导体设备，将从“内循环”的深度替代，走向“外循环”的技术输出。
数据显示显示，半导体设备ETF招商（561980）?跟踪中证半导，100%聚焦中微公司、北方华创、拓荆科技、安集科技等设备材料龙头（80%）和寒武纪、海光信息、中芯国际3家设计/制造企业（20%），中微公司占比高达16%。
截至7月31日，该指数前十大集中度（80%）、近一年涨幅（142%）、2020年至今涨幅（445%），均在科创芯片、半导体材料设备等同类指数中均居第一。

（来源：财闻）
据韩联社消息，多家华尔街金融机构正式启动对SK海力士美股存托凭证（ADR）的覆盖研究，全部给出“买入”或“增持”投资评级。
8月5日，存储芯片概念震荡走高，时空科技（605178.SH）涨停，恒烁股份（688416.SH）、普冉股份（688766.SH）、德明利（001309.SZ）、江波龙（301308.SZ）、北京君正（300223.SZ）、佰维存储（688525.SH）跟涨。
消息面上，据韩联社消息，多家华尔街金融机构正式启动对SK海力士美股存托凭证（ADR）的覆盖研究，全部给出“买入”或“增持”投资评级。截至当日，包含美国银行在内，至少6家金融机构发布SK海力士ADR首份分析报告，集体看多标的价值。
美国银行在首份研报中分析，美国科技企业订单保持旺盛、公司在高端存储芯片领域占据龙头地位，叠加全球AI基础设施投入持续扩容，SK海力士业绩有望迎来存储超级周期，当前股价存在明显低估。

韩国股东权益组织8月5日表示，其针对三星电子和SK海力士高管薪酬协议提出的举报，已被移交至首尔南部地方警察厅调查。
该组织于7月22日向韩国国家调查本部举报三星电子两名首席执行官全永铉、卢泰文以及SK海力士首席执行官郭鲁正，指控三人涉嫌违反信任义务。该组织认为，两家公司以经营利润为资金来源发放的业绩奖金不应纳入劳资集体谈判范围，并指责相关高管在未充分审查协议的情况下接受奖金要求，可能导致公司资产流失。
据悉，三星电子和SK海力士此前已分别与员工达成薪酬协议。根据5月签署的协议，三星将向员工提供相当于经营业绩收益10.5%的半导体特别绩效奖金；SK海力士则实行利润分享制度，将半导体部门营业利润的10%用于员工奖金分配。

（来源：财闻）
股东团体指控三星与SK海力士高管及劳工部长违规挂钩奖金与利润，拟提民事诉讼，劳资矛盾持续。
8月5日，据财闻海外资讯，股东运动总部证实，就三星电子与SK海力士（SKHY.US）将奖金与营业利润挂钩的协议，向相关部门对两家公司高管及韩国雇佣劳动部长官金英勋提起投诉。
该组织向高压公职人员腐败调查委员会及国家侦查厅指控：金英勋滥用职权、阻碍权利行使；三星电子副会长郑铉英、社长卢泰文及SK海力士社长郭卢正（Kwak Noh-jung）涉嫌违反《特定经济犯罪加重处罚法》背信条款。
针对金部长的指控指向其在5月20日三星电子薪资谈判中的调解行为。三星劳资双方在京畿道地区雇佣劳动厅大楼签署了临时协议，此时距离工会宣布的大罢工仅约30分钟。就此，股东运动总部表示，“本应阻止因奖金诉求引发的已宣布罢工（该诉求不属于劳动争议范畴）的劳动当局，反而以此为筹码向公司施压，促成了该协议的达成。”
股东方认为，三星电子两位首席执行官将约12%的经营业绩作为DS部门奖金资金来源的这一协议构成了背信行为。股东运动总部提出，管理层在未充分评估应对罢工的法律措施的情况下，签署了可能导致公司资产外流的协议。
SK海力士CEO郭卢正因提出并推行将10%营业利润作为奖金资金来源的制度而受到表彰。2025年9月，SK海力士取消了此前1000%基本工资的奖金上限，并签署协议将该制度维持10年。
目前，股东方正筹备确认决议无效、禁令及派生诉讼等民事程序，并强调利润分配须经股东大会授权。SK海力士已提出含股票发放的新方案，但工会强烈反对，谈判僵持。鉴于今年营业利润预计达270万亿韩元，奖金规模扩大，劳资矛盾短期难解。

（AI云资讯消息）当前，AI加速器正面临高带宽内存（HBM）与SSD之间严峻的性能失衡问题。为此，SK海力士与闪迪联合推出了一项全新标准——高带宽闪存（HBF），以期解决这一性能差距。两家内存制造商的目标是打造一个开放生态，支持各类企业开发与之兼容的产品。
简而言之，HBF的定位介于HBM与企业级SSD之间。与HBM类似，HBF也采用多颗存储芯片堆叠的方案，但不同的是，它使用的是NAND闪存而非DRAM，以此提升存储容量。其核心作用将是补充HBM的容量短板，而非取而代之。大语言模型可通过HBM进行即时计算处理，而HBF则以更大容量负责数据存储。
根据SK海力士与闪迪公布的最新规格，HBF容量最高可达512GB，带宽范围在0.4TB/s至3TB/s之间。
高带宽闪存（HBF）同时兼容通用芯粒互连标准（UCIe）规范，支持与各类CPU和GPU互联，构建完整的灵活性层。SK海力士解决方案开发负责人金春星表示，公司将拓展内存与存储之间的边界，并为构建提升整体系统效率的全新架构作出贡献。
在SK海力士与闪迪积极推广HBF标准的同时，三星已在通过开发和量产CMX解决方案，与英伟达等厂商建立稳固的合作关系。凭借层数最高可达500层的V10和V11NAND闪存，三星将致力于满足AI服务器对超高速存储的需求，以实现数据的快速访问、提升GPU卸载效率，从而带来更优的AI推理性能。

（来源：财闻）
多家华尔街金融机构正式启动对SK海力士美股存托凭证（ADR）的覆盖研究，全部给出“买入”或“增持”投资评级。
8月5日，据韩联社消息，多家华尔街金融机构正式启动对SK海力士（SKHY.US）美股存托凭证（ADR）的覆盖研究，全部给出“买入”或“增持”投资评级。截至当日，包含美国银行（BAC.US）在内，至少6家金融机构发布SK海力士ADR首份分析报告，集体看多标的价值。
美国银行在首份研报中分析，美国科技企业订单保持旺盛、公司在高端存储芯片领域占据龙头地位，叠加全球AI基础设施投入持续扩容，SK海力士业绩有望迎来存储超级周期，当前股价存在明显低估。
瑞银分析师尼古拉斯?戈多阿于上月30日发布首份报告，给予SK海力士ADR“买入”评级，目标价204美元。他预判，存储芯片供给紧缺局面或将延续至2028年；当前估值并未充分反映行业结构性盈利上行、自由现金流大幅改善以及持续加码的股东回报政策。
罗森布拉特证券给出全市场最高目标价320美元，对比前一交易日142.72美元收盘价，机构认为该股还有124%的上涨空间。
受华尔街多家投行集中出具低估判断催化，纽约市场SK海力士ADR大幅拉升。美东时间当日下午2点55分，该股较前一交易日大涨7.5%，报价153.5美元。

记者|杜宇
编辑|何小桃 杜波?校对|金冥羽
8月5日，韩国股市大涨。截至发稿，韩国KOSPI指数上涨4.56%。SK海力士涨超7%，三星电子涨超4%。
韩国交易所启动SIDECAR机制，暂停KOSPI程序化买盘。
另外，日经225指数涨超3%，铠侠股价涨超8%。
封面图片来源：每经媒资库，AI生成
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　　来源：中国基金报
　　【导读】美股三大指数集体收涨，道指、标普500指数均创新高，芯片股飙涨；国际油价大幅收跌
　　中国基金报记者 张舟整理报道
　　当地时间8月4日，美股三大指数集体收涨，道指、标普500指数均创新高。费城半导体指数涨超6%，光通信、存储板块集体上涨。
　　地缘方面，美伊局势持续缓和，国际油价大幅收跌。
　　一起来看海外市场最新详情。
　　道指、标普500指数均创新高
　　芯片股大涨
　　截至收盘，美股三大指数集体飘红。其中，道琼斯工业平均指数上涨1.71%，报54085.88点；标普500指数涨1.79%，报7736.52点；纳斯达克综合指数涨2.59%，报26584.99点。
　　芯片股集体大涨，截至收盘，费城半导体指数单日涨6.55%。个股方面，美光科技涨7.62%，AMD涨7%，英特尔涨超10%，ARM涨超17%，闪迪涨超10%，SK海力士涨超8%。
　　大型科技股多数上涨，英伟达涨超2%，苹果、特斯拉、微软涨超1%；亚马逊跌超2%。
　　美股中概股涨跌不一，纳斯达克中国金龙指数跌0.35%。阿里巴巴涨1.31%，中通快递跌2.56%。
　　国际油价大幅收跌
　　国际油价大幅收跌。截至收盘，布伦特原油期货大跌6%，报收于78.68美元/桶，跌破79美元关口。WTI原油期货跌6.47%，报收于75.14美元/桶。
　　编辑：杜妍

　　研究机构Counterpoint?Research周二发布的《全球存储追踪》报告显示，三星电子进一步扩大在存储市场的领先地位，而去年此时领跑的SK海力士已经跌到与美光“肩并肩”的状态。
　　分析师还特别提到中国DRAM龙头长鑫科技的高速增长，并乐观展望中国芯片公司撼动当前“存储三强争霸”格局的前景。
　　报告显示，三星电子二季度拿下全球DRAM市场39%的份额，重回2024年以来的高位。
　　与此同时，尽管SK海力士的季度营收同比激增214%，但市场份额却从去年Q2的39%骤降至26%；美光科技的市场份额升至25%，已经悄悄摸到海力士身后。
　　分析指出，今年二季度传统DRAM价格环比显著上涨，但HBM价格同比走低。其中，受现有HBM3E产品降价以及HBM4量产延迟影响，HBM平均售价降幅较为明显。不过，随着传统DRAM价格持续上涨，目前“相对较低”的HBM价格预计将在2027年迎来大幅上涨。
　　这也正是三星和SK海力士“此消彼长”的核心原因。
　　Counterpoint研究总监MS?Hwang评论称：“与竞争对手相比，SK海力士的出货量和营收中来自HBM的比例最高，因此公司在HBM价格下跌中遭受较大冲击。其次，SK海力士比竞争对手更早签署长期协议（LTA）。长期协议基于固定合同价格设定价格上限和下限，这意味着在内存价格上涨周期中，较早谈妥的固定价格会低于当前水平。”
　　对海力士而言，潜在的利好在于英伟达、AMD新一代旗舰AI机架开始出货，带动HBM4出货量开始增加。
　　话虽如此，Counterpoint依然认为美光科技将超越SK海力士，坐上全球DRAM第二大厂商的位置。
　　研究副总裁尼尔·沙阿（Neil?Shah）表示：“根据我们的估算，美光的DRAM营收自2025年第二季度以来已经增长了5倍，这使得该公司有望超越SK海力士，并可能很快跃居全球第二的位置…这最终将取决于谁拥有足够的产能，避免将利润拱手让给竞争对手，以及长期供应协议（LTA）如何形成。”
　　三巨头激烈厮杀之际，长鑫科技以同比增长716%成为全球增长最快的DRAM供应商。
　　沙阿指出，如果长鑫能够扩大产能、提升技术能力，并从PC市场以及潜在海外一线客户切入，满足国内外客户需求，其市场份额有望快速提升。随着长鑫崛起，存储行业竞争格局或将在一年后发生显著变化。
　　他认为，市场关注的焦点已经从“长鑫能否进入全球存储三强”转变为“长鑫何时能够跻身这一阵营”。

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（来源：智通财经）
智通财经APP获悉，在人工智能算力竞赛进入深水区之际，存储行业巨头SK海力士(SKHY.US)与闪迪(SNDK.US)于美国加州圣克拉拉举行的“2026年未来存储与内存大会”(FMS 2026)上，联合发布了高带宽闪存(High Bandwidth Flash，HBF)的首个标准规范。
这项历时约6个月、由产业联盟共同推动的里程碑式成果，标志着AI存储赛道正式迎来一名“重磅玩家”。HBF定位于高带宽内存(HBM)与固态硬盘(SSD)之间的新型存储层级，旨在为日益增长的AI推理需求提供兼顾高带宽与大容量的解决方案。
技术破局：破解AI时代的“内存墙”难题
随着AI从模型训练向大规模推理应用扩展，传统存储架构正面临严峻挑战：HBM虽带宽极高但成本昂贵、容量有限，而SSD虽容量大却带宽不足。HBF正是为解决这一“内存墙”瓶颈而生。
根据发布的规范，HBF在技术参数上实现了带宽与容量的平衡：
容量与堆叠：支持8层和16层NAND芯片堆叠配置，最高容量可达512GB。
带宽分级：划分为三个性能等级(Grade 1~3)，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s的可扩展范围。
开放互联标准：采用行业标准的通用芯粒互连技术UCIe作为连接接口，为HBF与GPU、CPU等不同类型处理器的灵活集成奠定了基础。
值得注意的是，该规范并非企业私有标准，而是通过全球最大的开放数据中心技术组织OCP(Open Compute Project)向全行业公开发布。这一举措意味着HBF将成为产业通用开放标准，有望加速整个AI存储生态的成熟。
生态集结：谷歌与Tenstorrent入局
标准化只是第一步，构建产业生态才是关键。目前，HBF联盟已成功吸引谷歌(Google)与AI芯片初创公司Tenstorrent加入。
SK海力士将在FMS 2026大会期间通过多场活动展示HBF战略：
主题演讲：SK海力士解决方案开发担当副社长金千成与下一代产品规划担当副社长姜郁成将联合发表题为“代理式人工智能时代下，基于分层存储器的高效AI基础设施构建”的演讲。
圆桌讨论：8月6日，SK海力士、闪迪与谷歌DeepMind将共同参与“借助HBF突破内存墙”的专题讨论。
战略纵深：第十代375层4D NAND首次亮相
作为此次发布的配套“重器”，SK海力士还在FMS 2026展会上首次公开展示了正在研发中的第十代(V10)375层4D NAND闪存晶圆及产品。
据SK海力士介绍，与上一代相比，该产品的性能功耗比提升了2.5倍，特别适用于对性能与能效要求极高的AI数据中心环境。公司计划于2027年初启动基于该NAND闪存的高性能、大容量企业级固态硬盘(eSSD)量产。
从HBF标准的发布到下一代NAND技术的亮相，SK海力士正在构建从存储介质到新型存储层级的完整AI存储解决方案矩阵。
AI存储赛道的“规则制定者”
对于投资者而言，HBF标准的发布具有多重深远意义。
首先，SK海力士正在从“HBM领导者”向“AI存储架构定义者”进化。在HBM市场已占据主导地位的基础上，HBF的推出进一步扩展了其在AI存储领域的技术版图。
其次，开放标准的策略有助于加速市场渗透。通过OCP发布开放标准、吸引谷歌等生态伙伴加入，SK海力士正在推动HBF成为AI推理场景下的主流存储方案。
第三，这一布局有望开辟新的增量市场。随着AI从训练走向推理，对兼顾带宽与容量的存储方案需求将呈指数级增长。HBF所瞄准的正是这一新兴市场。
SK海力士执行副总裁金千成表示：“随着AI应用的快速普及，我们正处在必须重新设计整体数据处理架构的节点。通过HBF技术，SK海力士将拓展内存与存储的边界，为构建提升系统整体效率的新架构作出贡献。”

（来源：财闻）
随着IPO融资推进及产能持续扩张，长鑫存储未来有望进一步提升全球市场份额，并向全球三大存储厂商发起冲击。
8月4日，Counterpoint Research今日发布2026年第二季度DRAM市占排名，三星电子以39%领先榜单，较上季度增加1%；SK海力士（SKHY.US）同比下滑明显，市占率从去年同期39%降至26%；其后的美光紧追其后，拿下25%；长鑫存储作为全球增长最快的DRAM供应商，市占率已达7%。
报告指出，三星受益于传统DRAM价格上涨及HBM业务份额扩大，业绩实现明显反弹，并有望在第三季度继续受益于存储价格上涨。相比之下，SK海力士虽然营收创历史新高，但由于HBM产品价格下滑及长期供货协议影响，市场份额被三星和美光进一步挤压。
此外，长鑫科技（688825.SH）营收同比增长716%。Counterpoint认为，随着IPO融资推进及产能持续扩张，长鑫存储未来有望进一步提升全球市场份额，并向全球三大存储厂商发起冲击。

4日，韩国股市高开，韩国综合股价指数（KOSPI）开盘报6351.38点，但盘中跳水，截至北京时间9:30，跌幅超2%。个股方面，SK海力士跌4.40%，三星电子跌4.28%。
责编：赵一凡
国际油价跳水
美股开盘：三大指数集体高开，存储板块又重挫，美光科技、闪迪跌超4%，SK海力士跌3%
美国关税战白忙活了

　　記者｜ドゥ・ユー
　　編集｜ホー・シャオタオ デュボ 校正｜キン・ミンユー
　　8月4日、日韓の株式市場は高く始まった。
　　取材時点で、韓国KOSPI指数は1.24％上昇。日経225指数は0.44％上昇。
　　SKハイニックスが2％超上昇、サムスン電子が1％超上昇。
　　材料面では、月曜に米国株の主要3指数がそろって上昇。終値はダウ工業株30種平均が693.38ポイント高、上昇率1.32％で53178.41ポイント。ナスダック総合指数が540.05ポイント高、上昇率2.13％で25913.9ポイント。S&P500指数は110.78ポイント高、上昇率1.48％で7600.5ポイント。
　　相場では、大型テック株の大半が上昇。Metaは6％超、Microsoftは5％近く上昇、AmazonとGoogleは4％超、テスラは3％超、NVIDIAは3％近く上昇、Appleは1.78％下落。Googleの時価総額は、Appleを上回って世界第2位に。半導体・メモリー関連のセクターは大半が上昇し、SanDiskは6％超、クアルコムは2％超、AMDは1％超、インテルは0.89％、ASMLは0.83％、マイクロン・テクノロジーは0.79％、TSMCは0.48％、ARMは0.26％下落。シーゲイト・テクノロジーは3％近く下落。

8月4日、日経225指数は寄り付きで0.38%上昇し、63995.28ポイントだった。韓国KOSPI指数は寄り付きで1.5%上昇し、6351.38ポイントだった。
北京時間8時40分時点で、日韓の株式市場は下落に転じた。日本の225指数は0.84%下落し、韓国のKOSPI指数は1.25%下落した。ストレージ用メモリの大手では値動きがまちまちで、SKハイニックスは1.02%上昇し、取引中には一時4%超上昇した。一方、サムスン電子は0.21%下落し、取引中には一時2%超上昇した。
8月4日、SKハイニックスのグローバル・ニュース・センターは、SKハイニックスがサンディスクと共同で、次世代メモリ技術「HBF」の初の標準仕様を発表したと伝えた。
今回の発表は、現地時間の8月4日から6日にかけて米カリフォルニア州サンノゼのサンタクララ・コンベンション・センターで開催される「フラッシュメモリーサミット（Flash Memory Summit）2026」（以下「FMS 2026」）の開幕に合わせたものだ。同社はサミット期間中に基調講演を行い、円卓フォーラムにも参加し、HBFがAI時代のメモリ不足を解消する鍵となる技術であることを紹介する計画だ。