Samsungは、QLCの5分の1にあたる約0.1 DWPDの耐久性を持つ新しいフラッシュメモリを採用し、1ドライブあたり250TBから1PBまで拡張できるニアラインSSDを開発しています。Scalityは初期サンプルを社内で評価しており、書き込み耐性は低いものの、性能はQLCに匹敵すると報告しています。

高密度化の仕組み：4Uに50台のドライブを搭載すると、1シェルフあたり約50PBとなり、ラック全体では0.5EB近くに達します。想定用途は、ウォームストレージや、モデルの重み、アーカイブ、更新頻度の低いデータセットなど、読み出しが中心のワークロードです。

これは汎用SSDではありません。このフラッシュメモリは書き込み耐久性よりも高密度化を重視して最適化されており、書き換えがまれなニアライン層でハードドライブを置き換えることを想定しています。

検討中のフォームファクターはEDSFF E3.LまたはE2です。出荷時期は確定していませんが、ScalityのCEOによると、2026年の発売は見込めないとのことです。

Samsungは以前、2022年に128TBのQLC、2023年に256TBのQLCをデモしました。今回のニアライン向けアーキテクチャは別の開発路線で、QLCの大容量化ではなく、積層技術とパッケージング密度に重点を置いています。

ペタバイト規模の静的データセットを保存するハイパースケーラーやAI研究機関にとって、保存するTBあたりのラック設置面積と消費電力を削減できます。0.1 DWPDという上限があるため、ホットストレージや頻繁なモデルチェックポイントの保存には使えません。しかし、コールド状態の推論用モデルの重みや学習コーパスのアーカイブには、密度とコストの面で飛躍的な改善となります。