報道：サムスン、NVIDIAの次世代HBMベースウエハーにTSMCの3nmプロセスを採用へ

初の協業報道：ソウル経済新聞によると、サムスン電子はNVIDIAの次世代カスタム広帯域メモリー（HBM）向けベースウエハーの製造に、TSMCの3nmプロセスを採用する計画です。

NVIDIAの要件：報道によると、NVIDIAはサムスン、SKハイニックス、マイクロンに対し、NVHBMのベースウエハーにTSMCのプロセスを使用し、メモリーコアダイには第6世代DRAMを採用するよう求めたとされています。

カスタムメモリーアーキテクチャ：NVHBMは、NVIDIA独自のメモリーコントローラーを基板に統合し、複数のメモリーサプライヤー間で実装を標準化することを目指しています。

サムスンが提案を受け入れ：報道によると、サムスンは社内検討を経て合意しましたが、他の顧客向けの標準HBMおよびカスタムメモリー製品は引き続き自社で製造します。

代替生産も検討：サムスンは、需要がTSMCの供給可能な生産能力を超えた場合に、自社のファウンドリーでNVHBMのベースウエハーを製造できるかどうかも検討しています。

要点：この報道どおりの取り決めが実現すれば、サムスンとTSMCの協力が深まる一方、NVIDIAは次世代AIメモリー技術のサプライチェーンをより標準化できる可能性があります。