$NVDA SUPPLIER SAMSUNG HBM4E YIELD EXCEEDS 70% 🚀

SamsungのHBM4E信頼性テストの歩留まりが70%を超えました。これは「成熟した歩留まり」とされる80%の閾値の前にある重要なマイルストーンです。開発は安定したレンジに入っており、来年のNVIDIAのVera Rubin Ultraのような次世代AIアクセラレータ向けに、すでにサンプルが顧客へ出荷されています。

ソン・ジェヒョク氏は、D1d DRAMプロセスが競争力を維持しており、11月までに量産承認を目標としていることを確認しました。これは次のメモリ世代であるHBM5に直接つながります。歩留まりがさらに上がり続ければ、AIハードウェアのサプライチェーン全体がより引き締まっていきます。

このメモリ・サイクルの加速を、市場はすでに十分に織り込んだと思いますか?

※投資助言ではありません。常にリスクを管理してください。

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