Samsung et SK Hynix modernisent leurs usines de mémoire flash NAND en Chine.

Aujourd’hui, Reuters a révélé en exclusivité que :

Samsung prévoit de moderniser son usine de Xi’an pour y produire des NAND V9 à 286 couches, avec pour objectif d’atteindre une production correspondante de 40 000 plaquettes par mois d’ici fin 2027.

SK Hynix, de son côté, se prépare à fabriquer à Dalian des produits NAND de 240 couches ou plus.

Pourquoi est-ce important ?

Parce que la concurrence à laquelle les deux géants sud-coréens de la mémoire sont confrontés en Chine n’a plus rien à voir avec celle d’autrefois.

Selon les données d’Omdia, Yangtze Memory Technologies détenait 38,5 % du marché chinois de la NAND au deuxième trimestre de cette année, devant Samsung et SK Hynix.

Autrefois, les fabricants chinois de mémoire cherchaient surtout à rattraper les géants internationaux. Aujourd’hui, ces derniers doivent eux aussi prendre au sérieux la concurrence chinoise.

Toutefois, moderniser ne signifie pas augmenter la production.

Samsung a indiqué que les modifications prévues étaient conformes aux règles américaines sur les exportations et n’impliquaient pas d’augmentation des capacités. La situation concernant les autorisations pour les équipements reste toutefois incertaine.

C’est là que réside tout l’intérêt du secteur des puces mémoire :

il faut faire évoluer la technologie, maîtriser les coûts, ne pas perdre de parts de marché et composer avec les restrictions politiques.

La demande liée à l’IA est très forte, mais dans le secteur des puces, tout ne se résume jamais à la beauté des caractéristiques techniques.