La courbe de changement de capacité de la DRAM 1c est le véritable levier de victoire dans la guerre de l’HBM4E. La part de 1c chez SK hynix est passée de 10 % au T1 à 34 % en prévision pour le T4 ; l’an prochain, elle est attendue à 35 % au T1, ce qui fera officiellement de 1c le procédé principal, devant 1b. Ce rythme signifie que SK hynix utilise six mois pour achever à l’avance, sur l’HBM4E, l’ajustement de production de masse le plus difficile. Samsung passe directement à 1c pour capter des commandes grâce aux paramètres de performance ; SK hynix utilise 1b pour maintenir la stabilité de l’HBM4, en comprimant sa part à la mi-50 %, puis se concentre sur le fait de faire fonctionner le rendement de 1c. Ainsi, lorsque l’HBM4E aura besoin de 1c pour le die principal, la phase d’escalade la plus douloureuse sera déjà franchie. Chaque plaquette de 1c produit plus de bits : l’avantage en coûts est immédiatement dilué, et la marge bénéficiaire de la DRAM est soutenue au second semestre. Prochaine étape : regarder les résultats du T3. Si la part de 1c est inférieure à 24 %, cela indiquera que la montée du rendement rencontre des obstacles et que la date de production de masse de l’HBM4E reste incertaine. Si elle dépasse 30 %, la feuille de route de Samsung devra être ajustée. Celui qui a d’abord traversé l’enfer du rendement sur le procédé sous-jacent est le vainqueur final de la guerre de l’HBM.