Selon Wallstreetcn, Samsung Electronics travaille avec Nvidia pour développer une mémoire vive à large bande passante de septième génération à 8 couches (HBM4E), en remplacement des options initialement prévues à 12 couches et 16 couches. La spécification de vitesse proposée par Nvidia est de 17 à 18 Gbit/s, soit environ 20 % de plus que la vitesse initiale de 14,4 Gbit/s de l’échantillon HBM4E de Samsung.
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TENDANCES IA | Samsung Electronics développe une HBM4E à 8 couches à la demande de Nvidia
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