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SK hynix parie à nouveau massivement sur l’avenir de la demande en mémoire tirée par l’IA.

Le conseil d’administration de l’entreprise a approuvé un plan d’investissement de 54,3 billions de wons (38,3 milliards de dollars) d’ici 2031, dont 19,1 billions de wons alloués à l’usine de semi-conducteurs M17 à Cheongju.

M17 se concentrera sur la mémoire flash NAND, qui devient de plus en plus importante pour le stockage des données dans tout, des PC aux serveurs d’IA.

Les travaux doivent commencer en février 2027, avec le premier cleanroom visé pour décembre 2028.

Les 35,2 billions de wons restants seront consacrés à la deuxième phase de l’usine Yongin de SK hynix, où l’entreprise prévoit de produire une DRAM avancée, y compris la mémoire à bande passante élevée utilisée dans les serveurs d’IA.

C’est plus grand qu’une seule usine.

L’infrastructure IA crée une demande à travers les GPU, la HBM, la DRAM et la NAND, et SK hynix investit de manière agressive pour s’assurer qu’elle dispose des capacités lorsque cette demande arrivera.

Le message de SK hynix est clair :

La demande en mémoire pour l’IA est traitée comme un cycle de long terme, et non comme un simple boom à court terme.

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🚨 SK hynix investit ₩19,1T (13 Md$+) dans sa nouvelle usine NAND M17.

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