TSMC no necesita fabricar celdas DRAM para captar más valor de HBM.
La iniciativa de DRAM 3D de la que se ha informado aún no está confirmada. Pero $TSM ya tiene un papel más concreto: lógica avanzada para los dados base de HBM4 y empaquetado CoWoS para aceleradores de IA.
SK hynix ha confirmado su colaboración con TSMC en la tecnología de dados base de HBM4.
Eso cambia la forma en que los inversores deberían analizar la economía de HBM.
A medida que las pilas de memoria se vuelven más complejas, una mayor parte del trabajo de ingeniería y fabricación va más allá de los propios dados DRAM.
Los proveedores de memoria siguen controlando capacidades esenciales en procesos DRAM, apilamiento, rendimiento y calificación. Pero TSMC puede captar ingresos adicionales por fabricación sin asumir toda la economía de producir memoria estandarizada.
La pregunta para $MU, Samsung y SK hynix no es si TSMC los reemplazará de repente.
Es si los precios de venta futuros de HBM aumentarán más rápido que el costo de la lógica subcontratada, el empaquetado avanzado y una integración cada vez más exigente.
Unos ingresos más altos por HBM no significan automáticamente que los fabricantes de memoria capten un aumento proporcional del valor.
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