La DRAM 3D lleva años estancada: límites en la reducción del tamaño de los condensadores, una complejidad de fabricación brutal y problemas de rendimiento.
Ahora, NEO Semiconductor acaba de demostrar la viabilidad de X-DRAM 3D con una arquitectura similar a la de la NAND 3D:
• Latencia inferior a 10 nanosegundos
• Retención superior a 1 segundo a 85 °C (15 veces más que el estándar de 64 ms de JEDEC)
• Resistencia superior a 10¹⁴ ciclos
Mientras tanto, se rumorea que $TSMC ha empezado a elaborar hojas de ruta para la DRAM 3D a petición de $NVDA, a medida que se agravan los cuellos de botella de memoria para la IA.
La DRAM vertical ya no es solo teoría: avanza hacia una vía de producción real. Si puede escalarse, transformará toda la cadena de suministro de memoria que alimenta la infraestructura de IA.
Veamos con qué rapidez responden las empresas establecidas. Esto podría ser la clave que el desarrollo de la IA estaba esperando.
Ahora, NEO Semiconductor acaba de demostrar la viabilidad de X-DRAM 3D con una arquitectura similar a la de la NAND 3D:
• Latencia inferior a 10 nanosegundos
• Retención superior a 1 segundo a 85 °C (15 veces más que el estándar de 64 ms de JEDEC)
• Resistencia superior a 10¹⁴ ciclos
Mientras tanto, se rumorea que $TSMC ha empezado a elaborar hojas de ruta para la DRAM 3D a petición de $NVDA, a medida que se agravan los cuellos de botella de memoria para la IA.
La DRAM vertical ya no es solo teoría: avanza hacia una vía de producción real. Si puede escalarse, transformará toda la cadena de suministro de memoria que alimenta la infraestructura de IA.
Veamos con qué rapidez responden las empresas establecidas. Esto podría ser la clave que el desarrollo de la IA estaba esperando.