Samsung y SK hynix están modernizando sus fábricas de memoria flash NAND en China.

Hoy, Reuters reveló en exclusiva que:

Samsung planea modernizar su fábrica de Xi’an para producir NAND V9 de 286 capas, con el objetivo de alcanzar una producción de 40.000 obleas al mes para finales de 2027.

SK hynix, por su parte, se prepara para producir NAND de 240 capas o más en su fábrica de Dalian.

¿Por qué merece la pena prestar atención a esto?

Porque la competencia a la que se enfrentan los dos gigantes surcoreanos de la memoria en China ya no es la de antes.

Según datos de Omdia, Yangtze Memory Technologies alcanzó una cuota del 38,5 % del mercado chino de NAND en el segundo trimestre de este año, superando a Samsung y SK hynix.

Antes, los fabricantes chinos de memoria se dedicaban principalmente a alcanzar a los líderes internacionales. Ahora, esos líderes también tienen que tomarse muy en serio la competencia china.

Sin embargo, modernizar no significa aumentar la producción.

Samsung afirma que las modificaciones cumplen con las normas de exportación de Estados Unidos y que no implican ampliar la capacidad. Aún hay incertidumbre sobre las licencias de los equipos concretos.

Lo más interesante del sector de los chips de memoria está precisamente aquí:

Hay que mejorar la tecnología, controlar los costes, no perder mercado y, además, lidiar con las restricciones normativas.

La demanda de IA está en auge, pero el negocio de los chips nunca se ha reducido a competir por quién tiene las especificaciones técnicas más impresionantes.