Según CNBC, Samsung Electronics y SK Hynix están modernizando sus plantas en China para producir chips de memoria NAND más avanzados, según personas familiarizadas con los planes. Samsung está reconvirtiendo sus instalaciones de Xi’an para fabricar chips V9 de 286 capas, con el objetivo de producir 5.000 obleas al mes en diciembre de este año y 40.000 para diciembre de 2027. SK Hynix planea pasar de fabricar productos de 192 capas en su planta de Dalian a producir chips de 240 capas o más. Ambas empresas afirmaron que las modernizaciones estaban en marcha y se estaban llevando a cabo en consulta con Washington. Las normas de exportación de Estados Unidos exigen licencias anuales para ciertos equipos, y Reuters no pudo determinar si las autoridades estadounidenses habían aprobado todos los equipos necesarios para las modernizaciones previstas.