Las acciones de almacenamiento overnight cayeron en bloque: Micron bajó casi un 4 % y SanDisk, cerca de un 6 %. El detonante fue un nuevo avance de ChangXin en su arquitectura DRAM 4F²: a finales de año lanzará módulos DDR5 RDIMM, dirigidos directamente a la memoria para servidores de IA.
La lógica es sencilla: pasar de 6F² a 4F² reduce el área de cada celda aproximadamente en un tercio, aumenta la densidad y reduce los costes. Lo que realmente teme el mercado no es que pueda competir ya mismo, sino que, si la producción nacional logra estabilizarse, habrá que replantearse tanto el poder de fijación de precios de las empresas estadounidenses y surcoreanas como los márgenes brutos de la DRAM para servidores.
Dicho esto, SanDisk se dedica principalmente a la NAND, así que no compite directamente con la DRAM. Esta caída parece más bien un daño colateral de la reevaluación de las valoraciones de todo el sector del almacenamiento. En el segmento de alta gama de la HBM, ChangXin tampoco podrá competir a corto plazo.
El superciclo del almacenamiento no ha terminado, pero ya pasó la etapa en la que bastaba con contar historias sobre la escasez. Primero habrá que ver si Micron y SanDisk logran frenar las caídas; no hay que apresurarse a comprar en la bajada. En las acciones chinas de almacenamiento, hay que seguir el ánimo en torno a la cadena de ChangXin y no confundir un avance tecnológico con beneficios ya materializados. #存储芯片 #DRAM
La lógica es sencilla: pasar de 6F² a 4F² reduce el área de cada celda aproximadamente en un tercio, aumenta la densidad y reduce los costes. Lo que realmente teme el mercado no es que pueda competir ya mismo, sino que, si la producción nacional logra estabilizarse, habrá que replantearse tanto el poder de fijación de precios de las empresas estadounidenses y surcoreanas como los márgenes brutos de la DRAM para servidores.
Dicho esto, SanDisk se dedica principalmente a la NAND, así que no compite directamente con la DRAM. Esta caída parece más bien un daño colateral de la reevaluación de las valoraciones de todo el sector del almacenamiento. En el segmento de alta gama de la HBM, ChangXin tampoco podrá competir a corto plazo.
El superciclo del almacenamiento no ha terminado, pero ya pasó la etapa en la que bastaba con contar historias sobre la escasez. Primero habrá que ver si Micron y SanDisk logran frenar las caídas; no hay que apresurarse a comprar en la bajada. En las acciones chinas de almacenamiento, hay que seguir el ánimo en torno a la cadena de ChangXin y no confundir un avance tecnológico con beneficios ya materializados. #存储芯片 #DRAM