Samsung Electronics está ampliando el uso de su memoria flash NAND de próxima generación, zNAND, y planea dividir la línea de productos en tres variantes: zNAND-O, zNAND-T y zNAND-I, además de la zNAND-O anunciada anteriormente. Según ChainCatcher, la empresa no ha anunciado oficialmente los dos últimos productos, pero fuentes del sector afirman que los planes están en una fase inicial de desarrollo y buscan responder al aumento de la demanda de almacenamiento personalizado para la infraestructura de IA.

zNAND-O está orientada a la IA en el borde. A diferencia de la unión tradicional mediante cables, su diseño apila verticalmente la memoria NAND en cuatro u ocho capas mediante vías a través del silicio, lo que acorta las rutas de datos y mejora la velocidad y la eficiencia energética. Samsung presentó por primera vez un modelo zNAND-O en un evento relacionado con la memoria celebrado en Estados Unidos en agosto.

zNAND-T se centra en el rendimiento de transferencia para centros de datos de IA de gran capacidad y alto rendimiento, y también utiliza apilamiento vertical y vías a través del silicio para ampliar el ancho de banda. Fuentes del sector la describen como memoria flash de alto ancho de banda. zNAND-I está diseñada para aumentar las operaciones de entrada/salida por segundo y gestionar el procesamiento frecuente de pequeñas cantidades de datos temporales, como las cachés de pares clave-valor que se utilizan en la inferencia de IA. El informe también señaló que SK Hynix está desarrollando sus propias líneas de productos NAND para IA, entre ellas AIN P, AIN D y AIN B.