22 de septiembre, informe de <c-1/>《朝鲜日报》: La IA rompe el ciclo de sincronización tradicional de la DRAM, pero la NAND enfrenta una presión de exceso.
Antes, los precios de la DRAM y la NAND solían caer debido a la demanda débil de NAND de uso general para teléfonos inteligentes y PC, además del aumento de producción de fabricantes como Yangtze Memory en China, lo que incrementa cada vez más la presión a la baja de los precios.· NAND: La demanda de eSSD para servidores con IA es fuerte, pero los productos de consumo enfrentan una presión a la baja cada vez mayor debido a la debilidad de la demanda y a la expansión de la capacidad en China.
#SNDK
Antes, los precios de la DRAM y la NAND solían caer debido a la demanda débil de NAND de uso general para teléfonos inteligentes y PC, además del aumento de producción de fabricantes como Yangtze Memory en China, lo que incrementa cada vez más la presión a la baja de los precios.· NAND: La demanda de eSSD para servidores con IA es fuerte, pero los productos de consumo enfrentan una presión a la baja cada vez mayor debido a la debilidad de la demanda y a la expansión de la capacidad en China.
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