Samsung Electronics acelera la construcción de la primera línea de producción en la planta P5 de Pyeongtaek, y el objetivo de introducción de equipos se adelanta al segundo trimestre de 2025
Según informó ZDNet Korea el 28 de septiembre, Samsung Electronics está acelerando la construcción de la primera línea de producción (Ph1) en su quinto complejo (P5) en Pyeongtaek, y está discutiendo con los principales proveedores de equipos el traslado de los equipos de la fase Ph1, con el objetivo de adelantar la fecha prevista del tercer trimestre de 2025 al segundo trimestre de 2025. P5 es una nueva instalación de producción de semiconductores de próxima generación con el objetivo de entrar en funcionamiento en 2028; este año, en el tercer trimestre, ya comenzó la construcción del recinto limpio de la fase Ph1. Samsung Electronics había adelantado previamente la construcción del recinto limpio de Ph1, que originalmente se completaría a principios de 2025, en aproximadamente 6 meses; por ello, se prevé que la introducción de equipos ocurra alrededor del tercer trimestre de 2025. Fuentes de la industria señalan que el inicio del traslado de equipos, que se planeaba entre julio y agosto de 2025, se adelantaría a alrededor de mayo o junio de 2025; otras fuentes indican que Samsung incluso propuso entregar los equipos en el primer trimestre de 2025 y almacenarlos temporalmente en otras ubicaciones, lo que refleja una intención de inversión anticipada más fuerte. También se están impulsando las conversaciones sobre la inversión para la segunda fase (Ph2) de P5. Actualmente, es más probable que la fase Ph1 se construya como una línea para DRAM y HBM, mientras que la Ph2 se construiría más probablemente como una línea avanzada de NAND que incluya la décima generación (V10). Los expertos en la industria de equipos señalan que aún no se han emitido órdenes de compra formales, pero Samsung ya ha discutido con sus socios la construcción de la Ph2 como una línea NAND y, debido al largo ciclo de entrega de los equipos, ha pedido tener preparados con antelación los componentes pertinentes. El informe indica que las grandes empresas tecnológicas del mundo están incrementando sus pedidos de DRAM y NAND de alto rendimiento para infraestructura de IA, mientras que empresas de almacenamiento como Samsung tienen capacidad limitada. En una llamada de resultados del segundo trimestre de julio, Samsung afirmó que la demanda no satisfecha de este año se trasladará a 2025; que la escasez de suministro el próximo año será más severa que la de este año, y que la escasez se mantendrá hasta 2028.
Según informó ZDNet Korea el 28 de septiembre, Samsung Electronics está acelerando la construcción de la primera línea de producción (Ph1) en su quinto complejo (P5) en Pyeongtaek, y está discutiendo con los principales proveedores de equipos el traslado de los equipos de la fase Ph1, con el objetivo de adelantar la fecha prevista del tercer trimestre de 2025 al segundo trimestre de 2025. P5 es una nueva instalación de producción de semiconductores de próxima generación con el objetivo de entrar en funcionamiento en 2028; este año, en el tercer trimestre, ya comenzó la construcción del recinto limpio de la fase Ph1. Samsung Electronics había adelantado previamente la construcción del recinto limpio de Ph1, que originalmente se completaría a principios de 2025, en aproximadamente 6 meses; por ello, se prevé que la introducción de equipos ocurra alrededor del tercer trimestre de 2025. Fuentes de la industria señalan que el inicio del traslado de equipos, que se planeaba entre julio y agosto de 2025, se adelantaría a alrededor de mayo o junio de 2025; otras fuentes indican que Samsung incluso propuso entregar los equipos en el primer trimestre de 2025 y almacenarlos temporalmente en otras ubicaciones, lo que refleja una intención de inversión anticipada más fuerte. También se están impulsando las conversaciones sobre la inversión para la segunda fase (Ph2) de P5. Actualmente, es más probable que la fase Ph1 se construya como una línea para DRAM y HBM, mientras que la Ph2 se construiría más probablemente como una línea avanzada de NAND que incluya la décima generación (V10). Los expertos en la industria de equipos señalan que aún no se han emitido órdenes de compra formales, pero Samsung ya ha discutido con sus socios la construcción de la Ph2 como una línea NAND y, debido al largo ciclo de entrega de los equipos, ha pedido tener preparados con antelación los componentes pertinentes. El informe indica que las grandes empresas tecnológicas del mundo están incrementando sus pedidos de DRAM y NAND de alto rendimiento para infraestructura de IA, mientras que empresas de almacenamiento como Samsung tienen capacidad limitada. En una llamada de resultados del segundo trimestre de julio, Samsung afirmó que la demanda no satisfecha de este año se trasladará a 2025; que la escasez de suministro el próximo año será más severa que la de este año, y que la escasez se mantendrá hasta 2028.