Speicherchip-ETF im September: plus 6 %, die zwei Spitzenreiter des Vormonats drehen ins Minus

Der Speicherchip-ETF $DRAMB 9 legte im September auf Basis der um Kapitalmaßnahmen bereinigten Schlusskurse um 6,08 % zu. Nach Ausschluss von Nicht-Aktienpositionen und Zusammenfassung identischer Basiswerte blieben 11 Positionen: 7 im Plus, 4 im Minus. Der Zuwachs entsprach nur der Hälfte der 12,96 % vom August.

Den stärksten Zuwachs verzeichnete nicht die Position mit dem höchsten Gewicht. Micron $MUB kam auf ein zusammengefasstes Gewicht von 26,45 %. $STXB legte bei einem Gewicht von 4,76 % um 11,43 % zu und erzielte damit im Berichtszeitraum den größten Zuwachs. SanDisk stieg um 11,05 % – drei Titel lagen damit dicht beieinander bei rund 11 %.

Am anderen Ende zeigte sich eine deutliche Spreizung. GigaDevice verlor 12,83 % und verzeichnete damit den stärksten Rückgang im Berichtszeitraum; ChangXin Memory Technologies gab um 5,55 % nach. Samsung und SK Hynix legten auf Basis einer nach Engagement gewichteten Zusammenfassung lediglich um 3,27 % beziehungsweise 6,25 % zu. Zusammen mit Micron machen die beiden 73,75 % aus.

Im Blick behalten sollte man künftig die beiden großen koreanischen Titel. Samsung und SK Hynix kommen zusammen auf ein Gewicht von 47,3 %, ihre Kurszuwächse blieben jedoch deutlich hinter Micron zurück. Soll der Index eine weitere Stufe nach oben erreichen, müssen sie übernehmen. Nanya Technology, das im August um 50,62 % explodiert war, und Winbond Electronics, das um 40,38 % zugelegt hatte, drehten im September beide ins Minus. Das zeigt, dass nicht die gesamte Wertschöpfungskette zulegte. Ich würde das eher so deuten, dass die Schwergewichte den Index stützen.

Die vorstehenden Angaben beruhen auf öffentlich zugänglichen Informationen und stellen keine Anlageberatung dar.

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