SAMSUNG BRINGT ASML HIGH-NA EUV BIS 2028 IN DIE DRAM-PRODUKTION
Samsung plant, $ASML High-NA EUV in Zukunft ab 2028 in der Fertigung von DRAM in hoher Stückzahl einzusetzen – wie die Unternehmen sagen, wäre das ein Branchen-Erstling.
Samsung beteiligt sich außerdem an einer Initiative, die Herstellung von Halbleiter-Photomasken vom in der Branche üblichen 6-Zoll-Format auf 12 Zoll umzustellen. Ziel ist es, die Produktivität in der Fertigung zu verbessern, die Herstellungskosten zu senken und Montage-/Stitching-Beschränkungen bei der High-NA-EUV-Produktion zu beseitigen.
Die erweiterte Partnerschaft erstreckt sich sowohl auf modernen Speicher als auch auf die Halbleiterfertigung der nächsten Generation.
Samsung plant, $ASML High-NA EUV in Zukunft ab 2028 in der Fertigung von DRAM in hoher Stückzahl einzusetzen – wie die Unternehmen sagen, wäre das ein Branchen-Erstling.
Samsung beteiligt sich außerdem an einer Initiative, die Herstellung von Halbleiter-Photomasken vom in der Branche üblichen 6-Zoll-Format auf 12 Zoll umzustellen. Ziel ist es, die Produktivität in der Fertigung zu verbessern, die Herstellungskosten zu senken und Montage-/Stitching-Beschränkungen bei der High-NA-EUV-Produktion zu beseitigen.
Die erweiterte Partnerschaft erstreckt sich sowohl auf modernen Speicher als auch auf die Halbleiterfertigung der nächsten Generation.
