$NVDA SUPPLIER SAMSUNG HBM4E YIELD ÜBERTRIFFT 70% 🚀
Die Zuverlässigkeits-Testausbeute von Samsungs HBM4E hat die Marke von 70% überschritten – ein wichtiger Meilenstein vor der 80%-Schwelle, die als „reife Ausbeute“ gilt. Die Entwicklung bewegt sich jetzt in einen stabilen Bereich; bereits versendete Muster an Kunden für die nächsten Generationen von KI-Acceleratoren wie NVIDIAs Vera Rubin Ultra werden im nächsten Jahr erwartet.
Song Jae-hyuk bestätigte, dass der D1d-DRAM-Prozess weiterhin einen Wettbewerbsvorteil bietet und auf eine Produktionsfreigabe bis November abzielt. Das fließt direkt in HBM5 ein, die nächste Speicher-Generation. Wenn die Ausbeuten weiter steigen, wird die gesamte Lieferkette für KI-Hardware noch stärker angezogen.
Glaubst du, dass der Markt diese Beschleunigung des Speicherzyklus bereits vollständig eingepreist hat?
Keine Finanzberatung. Verwalte immer dein Risiko.
#NVDA #Semiconductors #AI #HBM4E #TechBreakthrough
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Die Zuverlässigkeits-Testausbeute von Samsungs HBM4E hat die Marke von 70% überschritten – ein wichtiger Meilenstein vor der 80%-Schwelle, die als „reife Ausbeute“ gilt. Die Entwicklung bewegt sich jetzt in einen stabilen Bereich; bereits versendete Muster an Kunden für die nächsten Generationen von KI-Acceleratoren wie NVIDIAs Vera Rubin Ultra werden im nächsten Jahr erwartet.
Song Jae-hyuk bestätigte, dass der D1d-DRAM-Prozess weiterhin einen Wettbewerbsvorteil bietet und auf eine Produktionsfreigabe bis November abzielt. Das fließt direkt in HBM5 ein, die nächste Speicher-Generation. Wenn die Ausbeuten weiter steigen, wird die gesamte Lieferkette für KI-Hardware noch stärker angezogen.
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