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Südkorea hat im Chip-Spiel erneut absolut die Nase vorn! 🔥🇰🇷
Samsung & SK Hynix bringen ein nukleares Upgrade auf den Markt — High-Bandwidth Flash (HBF), das bereits in den Laboren als AI NAND auf Steroiden bezeichnet wird! 🚀
Bloomberg ist mit der Neuigkeit viral gegangen: Die gesamte koreanische Halbleiterszene ist begeistert von HBF — dem Speicher, der die massive günstige Kapazität von NAND aufnimmt und sie mit HBM-niveau Wahnsinnsbandbreite kombiniert! 🔥
SK Hynix hat bereits die AIN-Familie + H³-Architektur entfesselt — hybrides HBM + HBF, das direkt auf dem Interposer neben der GPU sitzt!
Das bedeutet, dass KV-Cache-Flaschenhälse verschwinden, die Inferenz auf riesigen LLMs extrem schnell wird und die Leistung pro Watt um bis zu 2,69× besser steigt! 😱💥
Samsung schläft auch nicht — sie treiben ihre V-NAND-Technologie bis an die Grenzen, um aufzuholen und bereiten bereits die Massenproduktion vor.
Engineering-Muster 2026 → volle Massenproduktion 2027. Wer dieses Rennen gewinnt, wird der unbestrittene König des nächsten AI-Speichers! 👑
Die globale AI-Explosion verlangt nicht nur nach mehr Speicher — sie fordert schnelleren, günstigeren, endlosen Speicher!
Korea schreit zurück: „Halt meinen Soju — wir haben das!“ 🇰🇷→🌍
Das ist nicht nur eine weitere Chip-Generation.
Das ist der Beginn einer völlig neuen Ära für AI-Datenspeicherung — schnelleres Training, günstigere Inferenz, niedrigere Stromrechnungen für jeden Hyperscaler und jedes Edge-Gerät auf dem Planeten.
Wer sonst verliert den Verstand, während Korea wieder die Führung übernimmt? Hinterlasst eure Reaktion in den Kommentaren! 🔥🚀
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