612_Ceros

Samsung Electronics növbəti nəsil DRAM strategiyasını dəyişdirərək əvvəllər yalnız layihə mərhələsində olan B1b prosesini rəsmi yol xəritəsinə əlavə edib və onu şirkətin ilk 10-nanometrlik altı (sub-10-nanometer) DRAM modeli kimi D0a adlandırıb. ChainCatcher-in məlumatına görə, əvvəllər D0a kimi istinad edilən məhsul indi ayrıca olaraq D0a-V kimi təsnif edilib; məqsəd qabaqcıl qablaşdırmanın (advanced packaging) ümumi təyinatlı DRAM-a daha tez tətbiqini sürətləndirməkdir.

B1b yaddaşı və perifer sürücü sxemlərini ayrıca vaflilərdə istehsal edəcək, sonra onları vafldən-vaflaya hibrid birləşdirmə ilə bir-birinə bağlayacaq; birləşmə birbaşa misarası birləndirmələr (direct copper interconnects) vasitəsilə həyata keçiriləcək. Hazırkı kommersiya DRAM 1c-dir; xətt eni təxminən 11–12 nanometr olan altıncı nəsil 10-nanometr sinifli noddur. Növbəti nəsil 1d isə xətt eni təxminən 10–11 nanometr olan yeddinci nəsil 10-nanometr sinifli noddur və 10-nanometr sinifli məhsulun faktiki son variantı kimi qiymətləndirilir. Vertikal tranzistorlu DRAM hüceyrə sahəsini 6F²-dən 4F²-ə qədər azalda bilər, lakin yüksək aspekt-ratio (aspect ratio) ilə aşındırma və sızma (leakage) problemləri ilə üzləşir. Vafldən-vaflaya hibrid birləşdirmə artıq CMOS təsvir sensorları və yüksək yığlıqlı (high-stack) NAND üçün kütləvi istehsalda tətbiq olunur.