زيادة عدد رقائق DRAM في عام 2027 لا تعني بالضرورة زيادة المعروض من DRAM السلعية.
توسّع Samsung وSK hynix وMicron طاقاتها الإنتاجية. لكن الجداول الزمنية للمصانع وتقديرات بدء إنتاج الرقائق لا تروي سوى جزء من القصة.
كشفت Micron عن نسبة مقايضة تقريبية للسعة بين HBM وDDR5 تبلغ 3:1، مع ارتفاع هذه النسبة في أجيال HBM الأحدث.
وهذا يعني أن نمو HBM قد يستحوذ على حصة غير متناسبة من سعة DRAM الجديدة.
أما العامل المقابل فهو الانتقال بين عمليات التصنيع: إذ يمكن لزيادة عدد البِتّات القابلة للاستخدام لكل رقاقة أن تخفف بعض هذا الضغط.
تتمثل فرضيتي في أن المستثمرين الذين يركزون على ارتفاع أعداد الرقائق التي يبدأ إنتاجها قد يبالغون في تقدير نمو معروض DRAM التقليدية.
الأرقام الجديرة بالمتابعة هي تخصيص السعة لـHBM، والإنتاج الفعلي للبِتّات لكل رقاقة، والشحنات الفعلية من بِتّات DRAM السلعية.
يمكن أن يتزامن ارتفاع عدد الرقائق مع شحّ أكبر في معروض DRAM التقليدية. فمزيج المنتجات أهم من السعة المعلنة.
#stock
$SKHY.US $MU.US
توسّع Samsung وSK hynix وMicron طاقاتها الإنتاجية. لكن الجداول الزمنية للمصانع وتقديرات بدء إنتاج الرقائق لا تروي سوى جزء من القصة.
كشفت Micron عن نسبة مقايضة تقريبية للسعة بين HBM وDDR5 تبلغ 3:1، مع ارتفاع هذه النسبة في أجيال HBM الأحدث.
وهذا يعني أن نمو HBM قد يستحوذ على حصة غير متناسبة من سعة DRAM الجديدة.
أما العامل المقابل فهو الانتقال بين عمليات التصنيع: إذ يمكن لزيادة عدد البِتّات القابلة للاستخدام لكل رقاقة أن تخفف بعض هذا الضغط.
تتمثل فرضيتي في أن المستثمرين الذين يركزون على ارتفاع أعداد الرقائق التي يبدأ إنتاجها قد يبالغون في تقدير نمو معروض DRAM التقليدية.
الأرقام الجديرة بالمتابعة هي تخصيص السعة لـHBM، والإنتاج الفعلي للبِتّات لكل رقاقة، والشحنات الفعلية من بِتّات DRAM السلعية.
يمكن أن يتزامن ارتفاع عدد الرقائق مع شحّ أكبر في معروض DRAM التقليدية. فمزيج المنتجات أهم من السعة المعلنة.
#stock
$SKHY.US $MU.US