$NVDA $META $GOOGL #AI #谷歌 #Meta #تحقيق_إنفيديا_بعد_اعتذار_هوانغ_عن_علاقته
تعمل شركة إنفيديا (NVIDIA)، الرائدة في رقائق الذكاء الاصطناعي، وشركة تي إس إم سي (TSMC) مؤخرًا على إعادة تشكيل سلسلة توريد ذاكرة HBM (الذاكرة عالية النطاق الترددي)، ما أثار قلق قطاع أشباه الموصلات في كوريا الجنوبية. وأفادت صحيفة «جونغ أنغ إلبو» الكورية في 9 نوفمبر، أنه مع تنامي نفوذ إنفيديا في تصميم HBM واختيار عمليات التصنيع، فإن عجز الشركات الكورية الجنوبية عن الحفاظ على مواقعها في المجالات الحيوية، مثل الشريحة الأساسية (Base Die) والربط الهجين (Hybrid Bonding) وتبديد الحرارة، قد يحصر دور إس كيه هاينكس وسامسونغ في دور «مقاولين من الباطن» يقتصر على توريد خلايا DRAM. وتتحول طبقات القيمة في صناعة الذاكرة بهدوء نحو إنفيديا وتي إس إم سي.
تقارير عن تقييم TSMC إنتاج DRAM ثلاثية الأبعاد بطلب من إنفيديا؟ الشركة تنفي سريعًا
نقلًا عن تقارير إعلامية أجنبية، ترددت مؤخرًا أنباء عن أن TSMC تقيّم إنتاج الجيل التالي من DRAM ثلاثية الأبعاد بطلب من إنفيديا، مع احتمال إنشاء مصنع رقائق جديد أو الاستحواذ على مصنع قائم وتحويله. وبعد انتشار الخبر، صرحت TSMC في اليوم التالي بأنها ستواصل التركيز على أعمالها الأساسية في تصنيع الرقائق للغير.
وبما أن TSMC شريك رئيسي أيضًا في إنتاج HBM لدى SK Hynix، فقد فُسّر هذا التصريح على أنه تأكيد مجدد لمبدأ الشركة الإداري المتمثل في «عدم منافسة العملاء». ومع ذلك، يرى محللون من القطاع في كوريا الجنوبية أن من الصعب اعتبار هذه الحادثة مجرد واقعة عابرة، في ضوء سلسلة التحركات الأخيرة لإنفيديا.
（هل تدفع إنفيديا بقوة نحو NVHBM لخفض أسعار HBM؟ محللون يخشون فقدان شركات الذاكرة الكبرى قدرتها التفاوضية）
إنفيديا تدخل مجال تصميم الذاكرة: NVHBM وBase Die بتقنية 3 نانومتر
في أغسطس من هذا العام، أعلنت إنفيديا عن «NVHBM»، وهي ذاكرة مخصصة تدمج وحدة التحكم بالذاكرة الخاصة بها في Base Die. وBase Die هي الشريحة الموجودة في أدنى طبقة من رزمة HBM والمسؤولة عن التحكم بالذاكرة. كما ترددت الشهر الماضي أنباء عن مطالبة إنفيديا سامسونغ إلكترونيكس وSK Hynix وميكرون بإنتاج Base Die باستخدام عملية التصنيع بتقنية 3 نانومتر لدى TSMC.
（سامسونغ رضخت! تقارير عن قبولها طلب إنفيديا، وإنتاج شرائح NVHBM بتقنية 3 نانومتر لدى TSMC）
بالنسبة إلى إنفيديا، يتيح تصميم بنية الذاكرة وواجهتها داخليًا تحسين الأداء وتقليل الاعتماد على موردين محددين. أما بالنسبة إلى TSMC، فبما أن الحصول على HBM ضروري لإنتاج وحدات GPU، فإن زيادة تأثيرها في تصنيع الذاكرة تقلل مخاطر تعطل شحنات GPU، وتتيح لها حصة أكبر من سلسلة توريد رقائق الذكاء الاصطناعي.
أكاديميون يشرحون أربعة مسارات أمام TSMC: الاستحواذ على قيمة مضافة عالية دون بناء مصانع DRAM
حلل البروفيسور كوون سوك جون، من قسم الهندسة الكيميائية في جامعة سونغكيونكوان، أن TSMC تستطيع دخول مجالات الذاكرة ذات القيمة المضافة العالية عبر أربعة مسارات، من دون الحاجة إلى بناء مصانع DRAM بنفسها:
توسيع تصنيع Base Die
الهيمنة على التكديس والدمج عبر الربط الهجين
التعاون مع شركات DRAM التايوانية
تصنيع الدوائر الطرفية لذاكرة DRAM ثلاثية الأبعاد
يُعد الربط الهجين العنصر المحوري في ذلك. فعندما يرتفع عدد طبقات HBM المكدسة إلى نحو 20 طبقة، تزداد أهمية الربط الهجين الذي يصل الشرائح مباشرة من دون استخدام النتوءات الدقيقة (Micro Bump). وإذا تولت TSMC هذه العملية أيضًا، فحتى مع استمرار SK Hynix في توريد القوالب الأساسية للـDRAM (Core Die)، ستظل إنفيديا وTSMC تسيطران على زمام تصميم المنتج النهائي وتصنيعه، ما يعيد تشكيل توازن القوى في سلسلة التوريد.
حذّر مسؤول تنفيذي سابق في SK Hynix من أنه مع انتقال HBM إلى أكثر من 20 طبقة، فإن عجز الشركتين الكوريتين الجنوبيتين الرائدتين في مجال الذاكرة عن بسط نفوذهما على Base Die والربط وتقنيات المعالجة الحرارية قد يحولهما إلى مقاولين من الباطن لا يتعدى دورهما توريد وحدات DRAM.
خط الدفاع الأخير لكوريا الجنوبية: انتزاع حق المشاركة في التصميم والإنتاج الكمي للربط الهجين
في مواجهة الضغوط المزدوجة من إنفيديا وTSMC، يقترح كوون سوك جون أن تضع الشركات الكورية الجنوبية خط دفاعها الأخير في نقطتين: أن تصبح شريكًا في تصميم Base Die، وأن تحقق القدرة على الإنتاج الكمي بتقنية الربط الهجين قبل TSMC. كما ينبغي توسيع قاعدة عملاء HBM المخصصة لتشمل Google وAMD وMeta، للحفاظ على السيادة التصميمية خارج نطاق إنفيديا.
أما كيم يونغ سوك، عميد معهد تعليم أشباه الموصلات في جامعة غاشون، فقال بصراحة إنه لا أصدقاء ولا حلفاء دائمين في عالم الأعمال. ودعا الأوساط الأكاديمية إلى تعزيز الأبحاث الأولية في مجالات التغليف ثنائي الأبعاد ونصف وثلاثي الأبعاد، وواجهات HBM، وتصميم أنظمة الذاكرة عالية الأداء. كما ينبغي للحكومة دعم إعداد الكفاءات والبنية التحتية اللازمة لتصميم الأنظمة التي تدمج المنطق والذاكرة.
ظهر هذا المقال «هل تنتقل السيطرة على تصميم الذاكرة إلى إنفيديا وTSMC؟ سامسونغ وSK Hynix مهددتان بالتحول إلى مقاولين من الباطن» للمرة الأولى على 。
【تحليل إضافي】
【وجهة نظري الإضافية】
يكشف هذا الاتجاه عن تحول نموذجي في سلسلة صناعة عتاد الذكاء الاصطناعي، من «تجميع المكونات القياسية» إلى «التخصيص العميق والتغليف المتقدم». فقد انتقل جوهر قيمة HBM من وحدات تخزين DRAM البحتة إلى التحكم المنطقي (Base Die) والتغليف المتقدم (الربط الهجين). ويعيد كل من هيمنة إنفيديا على مواصفات البنية، وتولي TSMC عمليات التصنيع ذات القيمة المضافة العالية، تشكيل توزيع القيمة في صناعة الرقائق. وإذا فقدت الشركات الكورية الجنوبية زمام المبادرة في تصميم Base Die والتغليف، فستواجه شركات الذاكرة العملاقة خطر التحول إلى سلعة نمطية (Commoditization)، وقد تتآكل هوامش أرباحها الإجمالية.
【تأثير السوق】
* **الأسهم الأمريكية:**
* **إنفيديا (NVDA، إيجابي):** إن تطوير NVHBM داخليًا والسيطرة على Base Die يعززان التحكم في سلسلة التوريد ويخفضان تكاليف الشراء، ما يدعم الحفاظ على هوامش أرباح إجمالية مرتفعة على المدى الطويل.
* **ميكرون (MU، محايد يميل إلى السلبية):** إذا انتقلت القدرة التفاوضية إلى عمالقة تصميم الدوائر المتكاملة والتصنيع، فقد تتقلص مساحة التسعير المتميز أمام شركات الذاكرة الكبرى.
* **الأسهم التايوانية:**
* **TSMC (2330/TSM، إيجابي):** يمكنها الاستحواذ على طلبات Base Die بتقنية 3 نانومتر والربط الهجين ذات هوامش الأرباح المرتفعة، من دون تحمل النفقات الرأسمالية الضخمة لبناء مصنع DRAM، ما يعزز أكثر مكانتها المهيمنة في تصنيع رقائق الذكاء الاصطناعي.
* **سلسلة توريد التغليف المتقدم والمعدات (إيجابي):** مع تزايد أهمية تقنية الربط الهجين، يُتوقع أن تشهد شركات معدات التغليف المتقدم والمواد الاستهلاكية ذات الصلة موجة جديدة من الطلبات.
* **العملات المشفرة:**
* **العملات الرمزية المرتبطة بالذكاء الاصطناعي (مثل RENDER وFET وNEAR، محايد يميل إلى الإيجابية):** إن تحسن كفاءة الحوسبة في البنية التحتية للأجهزة وانخفاض تكلفتها يدعمان على المدى الطويل توسع منظومة الحوسبة والتطبيقات اللامركزية للذكاء الاصطناعي.
【ما ينبغي مراقبته لاحقًا】
1. هل ستتمكن سامسونغ وSK Hynix من تحسين مردود إنتاج الربط الهجين بنجاح، والحفاظ على ريادتهما قبل بدء الإنتاج الكمي لـ HBM بأكثر من 20 طبقة؟
2. وتيرة تقدم NVHBM من إنفيديا، وما إذا كانت شركات التكنولوجيا الكبرى مثل Google وMeta ستحذو حذوها وتعتمد حلول HBM مخصصة.
【تنبيه بشأن المخاطر】
إذا ركزت هيئات مكافحة الاحتكار لاحقًا على الهيمنة المفرطة لإنفيديا وTSMC في سلسلة توريد الذكاء الاصطناعي، أو كان تحسن مردود عملية الربط الهجين الجديدة دون التوقعات، فقد يؤدي ذلك إلى مخاطر قصيرة الأجل في تطبيق التقنية وتقلبات في أسعار الأسهم ذات الصلة.