لا تحتاج TSMC إلى تصنيع خلايا DRAM للاستحواذ على قيمة أكبر من HBM.
ما زالت المبادرة المُعلَن عنها بشأن DRAM ثلاثية الأبعاد غير مؤكدة. لكن $TSM له بالفعل دور أكثر وضوحًا: تصنيع دوائر منطقية متقدمة لشرائح HBM4 الأساسية، وتغليف CoWoS لمسرّعات الذكاء الاصطناعي.
أكدت SK hynix تعاونها مع TSMC في تقنية الشرائح الأساسية لـ HBM4.
وهذا يغيّر الطريقة التي ينبغي للمستثمرين أن ينظروا بها إلى اقتصاديات HBM.
كلما ازدادت مكدسات الذاكرة تعقيدًا، امتدّ جزء أكبر من أعمال الهندسة والتصنيع إلى ما وراء شرائح DRAM نفسها.
ما زال موردو الذاكرة يملكون قدرات أساسية في عمليات DRAM والتكديس ومردود الإنتاج والتأهيل. لكن TSMC تستطيع تحقيق إيرادات تصنيع إضافية من دون تحمّل كامل تبعات اقتصاديات إنتاج الذاكرة السلعية.
السؤال المطروح على $MU وSamsung وSK hynix ليس ما إذا كانت TSMC ستحلّ محلهم فجأة.
بل ما إذا كانت أسعار بيع HBM مستقبلًا سترتفع بوتيرة أسرع من تكلفة المنطق المُعهَد بتصنيعه والتغليف المتقدم والتكامل الذي تزداد متطلباته.
فارتفاع إيرادات HBM لا يعني تلقائيًا زيادة متناسبة في القيمة التي يستحوذ عليها مصنّعو الذاكرة.
#stocks
$TSM.US $MU.US
ما زالت المبادرة المُعلَن عنها بشأن DRAM ثلاثية الأبعاد غير مؤكدة. لكن $TSM له بالفعل دور أكثر وضوحًا: تصنيع دوائر منطقية متقدمة لشرائح HBM4 الأساسية، وتغليف CoWoS لمسرّعات الذكاء الاصطناعي.
أكدت SK hynix تعاونها مع TSMC في تقنية الشرائح الأساسية لـ HBM4.
وهذا يغيّر الطريقة التي ينبغي للمستثمرين أن ينظروا بها إلى اقتصاديات HBM.
كلما ازدادت مكدسات الذاكرة تعقيدًا، امتدّ جزء أكبر من أعمال الهندسة والتصنيع إلى ما وراء شرائح DRAM نفسها.
ما زال موردو الذاكرة يملكون قدرات أساسية في عمليات DRAM والتكديس ومردود الإنتاج والتأهيل. لكن TSMC تستطيع تحقيق إيرادات تصنيع إضافية من دون تحمّل كامل تبعات اقتصاديات إنتاج الذاكرة السلعية.
السؤال المطروح على $MU وSamsung وSK hynix ليس ما إذا كانت TSMC ستحلّ محلهم فجأة.
بل ما إذا كانت أسعار بيع HBM مستقبلًا سترتفع بوتيرة أسرع من تكلفة المنطق المُعهَد بتصنيعه والتغليف المتقدم والتكامل الذي تزداد متطلباته.
فارتفاع إيرادات HBM لا يعني تلقائيًا زيادة متناسبة في القيمة التي يستحوذ عليها مصنّعو الذاكرة.
#stocks
$TSM.US $MU.US