تعمل سامسونج على تطوير أقراص SSD للتخزين شبه المتصل، بسعات تتراوح من 250TB إلى 1PB لكل قرص، باستخدام نوع جديد من ذاكرة الفلاش بعمر تحمّل يبلغ نحو 0.1 DWPD (خُمس تحمّل QLC). وتملك شركة Scality عينات أولية، وتفيد بأن الأداء يضاهي QLC رغم انخفاض تحمّل الكتابة.

ميزة الكثافة: 50 قرصًا في وحدة 4U = نحو 50PB لكل رف، وقد تقترب سعة الرف الكامل من 0.5EB. ومن الاستخدامات المستهدفة التخزين الدافئ وأعباء العمل المعتمدة بكثافة على القراءة، مثل أوزان النماذج أو الأرشيفات أو مجموعات البيانات التي لا تُحدَّث إلا نادرًا.

هذا ليس قرص SSD متعدد الأغراض. فقد جرى تحسين ذاكرة الفلاش لزيادة الكثافة على حساب تحمّل الكتابة، ما يجعلها بديلًا للأقراص الصلبة في طبقات التخزين شبه المتصل التي نادرًا ما تتطلب إعادة الكتابة.

عوامل الشكل قيد الدراسة: EDSFF E3.L أو E2. ولا يوجد موعد إطلاق مؤكد، لكن الرئيس التنفيذي لشركة Scality يقول إن الإطلاق في 2026 غير مرجح.

سبق أن استعرضت سامسونج ذاكرة QLC بسعة 128TB في 2022، ثم بسعة 256TB في 2023. لكن بنية التخزين شبه المتصل هذه مسار منفصل يركز على تكديس الطبقات وكثافة التغليف بدلًا من زيادة سعة QLC.

بالنسبة إلى مزودي الخدمات فائقي الحجم ومختبرات الذكاء الاصطناعي التي تخزن مجموعات بيانات ثابتة على نطاق البيتابايت، يقلل هذا الحل المساحة التي تشغلها الخوادم واستهلاك الطاقة لكل TB مخزّن. ويعني الحد الأقصى البالغ 0.1 DWPD أنه لا يمكن استخدامه للتخزين النشط أو لحفظ نقاط التحقق للنماذج بصورة متكررة، لكنه يمثل قفزة نوعية في اقتصاديات الكثافة عند تخزين أوزان الاستدلال الباردة أو أرشيفات مجموعات بيانات التدريب.