لكن النمو السريع لقطاع الحوسبة عالية الأداء (HPC) لدى TSMC$TSM ليس تطورًا جديدًا ظهر في الربع الثالث
ففي الربعين الأولين، بلغ نمو قطاع HPC على أساس ربع سنوي 20% أو أكثر، لذا فإن الأمر الأكثر إثارة للإعجاب هو قدرته على مواصلة النمو بنحو 20% في الربع، رغم أن حصته باتت تقارب 70% من إجمالي الإيرادات
هل يعود إسهام قطاع HPC بهذه النسبة الكبيرة من الإيرادات الإضافية إلى أن TSMC باعت عددًا أكبر من رقائق السيليكون، أم إلى أن هذه الطلبات نفسها تدرّ إيرادات أعلى؟
وبالنظر إلى التباين السابق بين نمو شحنات الرقائق ونمو الإيرادات، أميل إلى الاعتقاد بأن العامل الثاني يزداد أهمية في موجة النمو هذه
كما أن تركيبة إيرادات عمليات التصنيع المتقدمة في هذا الربع تقدم بعض الأدلة الداعمة لذلك
فعلى سبيل المثال، ارتفعت حصة إيرادات رقائق السيليكون المصنّعة بتقنية 2 نانومتر من 3% في الربع الماضي إلى 8% في هذا الربع، كما ارتفعت حصة تقنية 3 نانومتر من 30% إلى 33%
وبلغت حصة التقنيتين معًا 41% من إيرادات رقائق السيليكون، بزيادة قدرها 8 نقاط مئوية مقارنة بالربع الماضي
وبالنظر إلى بيانات الأرباع القليلة الماضية، يمكن استنتاج أن TSMC ربما لم تعد بحاجة إلى زيادة شحنات رقائق السيليكون بالنسبة نفسها كي تحقق إيرادات أعلى
إذ يتركز مصدر النمو بدرجة كبيرة في الحوسبة عالية الأداء والطلب المرتبط بها على التصنيع المتقدم
وفي الوقت نفسه، بما أن الطلب على التصنيع المتقدم هو السبب الرئيسي للنمو، فلا يمكن الاستشهاد بأداء TSMC ببساطة لإثبات أن قطاع أشباه الموصلات بأكمله يشهد تعافيًا متزامنًا
وهذا أيضًا سبب إشارة كثير من الآراء في السوق إلى أن قطاع أشباه الموصلات لم يدخل مرحلة التعافي
فبالنسبة إلى الشركات التي يتركز إنتاجها أساسًا على الرقائق المصنّعة بتقنيات ناضجة، قد يكون طلب عملائها وظروف السوق التي تواجهها مختلفين تمامًا
ففي الربعين الأولين، بلغ نمو قطاع HPC على أساس ربع سنوي 20% أو أكثر، لذا فإن الأمر الأكثر إثارة للإعجاب هو قدرته على مواصلة النمو بنحو 20% في الربع، رغم أن حصته باتت تقارب 70% من إجمالي الإيرادات
هل يعود إسهام قطاع HPC بهذه النسبة الكبيرة من الإيرادات الإضافية إلى أن TSMC باعت عددًا أكبر من رقائق السيليكون، أم إلى أن هذه الطلبات نفسها تدرّ إيرادات أعلى؟
وبالنظر إلى التباين السابق بين نمو شحنات الرقائق ونمو الإيرادات، أميل إلى الاعتقاد بأن العامل الثاني يزداد أهمية في موجة النمو هذه
كما أن تركيبة إيرادات عمليات التصنيع المتقدمة في هذا الربع تقدم بعض الأدلة الداعمة لذلك
فعلى سبيل المثال، ارتفعت حصة إيرادات رقائق السيليكون المصنّعة بتقنية 2 نانومتر من 3% في الربع الماضي إلى 8% في هذا الربع، كما ارتفعت حصة تقنية 3 نانومتر من 30% إلى 33%
وبلغت حصة التقنيتين معًا 41% من إيرادات رقائق السيليكون، بزيادة قدرها 8 نقاط مئوية مقارنة بالربع الماضي
وبالنظر إلى بيانات الأرباع القليلة الماضية، يمكن استنتاج أن TSMC ربما لم تعد بحاجة إلى زيادة شحنات رقائق السيليكون بالنسبة نفسها كي تحقق إيرادات أعلى
إذ يتركز مصدر النمو بدرجة كبيرة في الحوسبة عالية الأداء والطلب المرتبط بها على التصنيع المتقدم
وفي الوقت نفسه، بما أن الطلب على التصنيع المتقدم هو السبب الرئيسي للنمو، فلا يمكن الاستشهاد بأداء TSMC ببساطة لإثبات أن قطاع أشباه الموصلات بأكمله يشهد تعافيًا متزامنًا
وهذا أيضًا سبب إشارة كثير من الآراء في السوق إلى أن قطاع أشباه الموصلات لم يدخل مرحلة التعافي
فبالنسبة إلى الشركات التي يتركز إنتاجها أساسًا على الرقائق المصنّعة بتقنيات ناضجة، قد يكون طلب عملائها وظروف السوق التي تواجهها مختلفين تمامًا