記憶體供過於求？不可能，連 2030 年之後都不會。
HBM 的需求正壓垮傳統 DRAM 的產能。關鍵在於：HBM 每位元所需的晶圓遠多於 DDR5。供應早已吃緊。
再加上約在 2029 至 2030 年開始擴大規模、直接與邏輯晶片整合的 3D 堆疊 DRAM。這可能進一步壓縮傳統 DRAM 的供應。記憶體公司甚至還沒敲定要採用哪些製程節點。而且，若架構如預期般運作，3D 堆疊 DRAM 對位元產出的限制可能比現今的 HBM 更大。
目前多數分析師尚未將這點納入考量。預期明年隨著更多公司與記憶體供應商合作開發 3D 堆疊技術，市場討論將有所轉變。
SK 海力士財報表現強勁之際，值得重新檢視這個結構性的供應問題。記憶體週期並未反轉，而是進一步收緊。
HBM 的需求正壓垮傳統 DRAM 的產能。關鍵在於：HBM 每位元所需的晶圓遠多於 DDR5。供應早已吃緊。
再加上約在 2029 至 2030 年開始擴大規模、直接與邏輯晶片整合的 3D 堆疊 DRAM。這可能進一步壓縮傳統 DRAM 的供應。記憶體公司甚至還沒敲定要採用哪些製程節點。而且，若架構如預期般運作，3D 堆疊 DRAM 對位元產出的限制可能比現今的 HBM 更大。
目前多數分析師尚未將這點納入考量。預期明年隨著更多公司與記憶體供應商合作開發 3D 堆疊技術，市場討論將有所轉變。
SK 海力士財報表現強勁之際，值得重新檢視這個結構性的供應問題。記憶體週期並未反轉，而是進一步收緊。