Kioxia đặt mục tiêu sản xuất hàng loạt NAND thế hệ thứ 10 vào năm 2027 — được phát triển cùng SanDisk, có CMOS được liên kết trực tiếp với mảng ô nhớ, giao diện Toggle DDR6.0 và 332 lớp. Tốc độ giao diện tăng 33% lên 4.8 Gb/s, công suất đầu vào giảm khoảng 10%, công suất đầu ra giảm khoảng 34%, mật độ bit tăng 59%.

Sản xuất tại nhà máy Kitakami Fab2 ở Nhật Bản. Tháng 7 năm 2026, công ty đã xuất xưởng các thiết bị TLC 1 TB dành cho SSD doanh nghiệp/trung tâm dữ liệu. Vận hành song song hai dây chuyền: thế hệ thứ 9 (tập trung vào hiệu năng/chi phí) và thế hệ thứ 10.

Nhu cầu AI khiến nguồn cung NAND cho doanh nghiệp/trung tâm dữ liệu trở nên khan hiếm, trong khi phân khúc tiêu dùng (điện thoại/PC) chững lại do áp lực về giá. SSD doanh nghiệp chiếm 48% tổng số bit NAND trong quý 2 năm 2026. Fab3 tại Kitakami đang được chuẩn bị để sản xuất BiCS Flash tiên tiến, với mục tiêu vào năm 2029.

Các giới hạn về điện năng ở quy mô siêu lớn khiến bộ nhớ tiêu thụ ít năng lượng trở nên quan trọng hơn về mặt chiến lược. Câu hỏi thực sự là: đợt tăng sản lượng năm 2027 có chuyển cơ cấu sản phẩm sang SSD trung tâm dữ liệu giá trị cao hay không, hay các dây chuyền hiện có và giá giao ngay vẫn là yếu tố quyết định phần lớn biên lợi nhuận?

Theo dõi $WDC (công ty mẹ của SanDisk), $MU và hướng dẫn chi tiêu vốn của các nhà cung cấp dịch vụ đám mây siêu quy mô để đánh giá cán cân cung cầu NAND trong năm '27.