Dự án Terafab của Musk đặt mục tiêu đạt công suất khoảng 1 triệu tấm wafer mỗi tháng vào năm 2032. Theo Sina Finance, vào mùa thu năm nay, Terafab cho các nhà sản xuất thiết bị biết rằng dự án này lên kế hoạch đạt công suất khoảng 700.000 tấm wafer chip nhớ và hơn 300.000 tấm wafer bán dẫn điện toán mỗi tháng. Tổng công suất dự kiến sẽ gấp khoảng 40 lần nhà máy của Rapidus ở Chitose, Hokkaido, Nhật Bản, vốn được thiết kế để sản xuất 25.000 tấm wafer mỗi tháng. Công suất chip nhớ dự kiến tương đương với tổng công suất DRAM hiện tại của Samsung, vào khoảng 650.000 đến 700.000 tấm wafer mỗi tháng.

Thông tin chi tiết về kế hoạch sản xuất bộ nhớ của Terafab vẫn chưa rõ ràng. Dự án chưa tiết lộ công suất bộ nhớ dự kiến sẽ được phân chia như thế nào giữa HBM và LPDDR, cũng như liệu chip DRAM sẽ được phát triển, sản xuất và xếp chồng nội bộ hay một phần sẽ được mua dưới dạng die trần để đóng gói. Theo thông tin được biết, Terafab đang thảo luận về các quan hệ hợp tác công nghệ bên ngoài nhằm hỗ trợ sản xuất. Intel sẽ hỗ trợ kỹ thuật cho việc sản xuất chip logic, với kế hoạch sử dụng các quy trình 2nm và 1.4nm của hãng.

Terafab đã bắt đầu công tác mua sắm thiết bị sơ bộ. Đầu tháng này, nhóm mua sắm của công ty đã có chuyến thăm riêng tới Nhật Bản, tìm cách nhận thiết bị từ một số nhà cung cấp trong vòng vài tháng tới, trong khi việc lắp đặt vẫn tiếp diễn; mục tiêu là bắt đầu sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm 2028. Việc xây dựng một nhà máy chế tạo wafer tiên tiến và đưa nhà máy vào sản xuất hàng loạt thường mất hơn ba năm; sau khi thiết bị được chuyển đến, việc giảm tỷ lệ lỗi và đạt được sản xuất ổn định cũng cần thêm thời gian.