DRAM 3D đã giậm chân tại chỗ suốt nhiều năm — giới hạn thu nhỏ tụ điện, quy trình cực kỳ phức tạp, năng suất đầy rủi ro.
Giờ đây, NEO Semiconductor vừa chứng minh tính khả thi của công nghệ 3D X-DRAM sử dụng kiến trúc tương tự 3D NAND:
• Độ trễ dưới 10 nanô giây
• Thời gian lưu trữ trên 1 giây ở 85°C (dài gấp 15 lần tiêu chuẩn 64ms của JEDEC)
• Độ bền vượt quá 10¹⁴ chu kỳ
Trong khi đó, có tin đồn rằng $TSMC đã bắt đầu phác thảo lộ trình DRAM 3D theo yêu cầu của $NVDA, trong bối cảnh các nút thắt cổ chai về bộ nhớ AI ngày càng nghiêm trọng.
DRAM dọc không còn chỉ là lý thuyết — công nghệ này đang tiến gần hơn đến lộ trình sản xuất thực tế. Nếu có thể mở rộng quy mô, nó sẽ tái định hình toàn bộ chuỗi cung ứng bộ nhớ phục vụ hạ tầng AI.
Hãy theo dõi xem các nhà sản xuất đương nhiệm phản ứng nhanh đến mức nào. Đây có thể là bước đột phá mà quá trình phát triển AI đang chờ đợi.
Giờ đây, NEO Semiconductor vừa chứng minh tính khả thi của công nghệ 3D X-DRAM sử dụng kiến trúc tương tự 3D NAND:
• Độ trễ dưới 10 nanô giây
• Thời gian lưu trữ trên 1 giây ở 85°C (dài gấp 15 lần tiêu chuẩn 64ms của JEDEC)
• Độ bền vượt quá 10¹⁴ chu kỳ
Trong khi đó, có tin đồn rằng $TSMC đã bắt đầu phác thảo lộ trình DRAM 3D theo yêu cầu của $NVDA, trong bối cảnh các nút thắt cổ chai về bộ nhớ AI ngày càng nghiêm trọng.
DRAM dọc không còn chỉ là lý thuyết — công nghệ này đang tiến gần hơn đến lộ trình sản xuất thực tế. Nếu có thể mở rộng quy mô, nó sẽ tái định hình toàn bộ chuỗi cung ứng bộ nhớ phục vụ hạ tầng AI.
Hãy theo dõi xem các nhà sản xuất đương nhiệm phản ứng nhanh đến mức nào. Đây có thể là bước đột phá mà quá trình phát triển AI đang chờ đợi.