ETF chip nhớ tháng 9: tăng 6%, hai mã dẫn đầu tháng trước quay đầu giảm

ETF chip nhớ $DRAMB 9 tăng 6.08% trong tháng, tính theo giá đóng cửa đã điều chỉnh. Sau khi loại trừ các vị thế không phải cổ phiếu và gộp các khoản đầu tư vào cùng một mã, danh mục có tổng cộng 11 mã, trong đó 7 mã tăng và 4 mã giảm. Mức tăng chỉ bằng một nửa so với 12.96% hồi tháng 8.

Mã tăng mạnh nhất không phải là mã có tỷ trọng cao nhất. Micron$MUB có tỷ trọng gộp 26.45%; $STXB có tỷ trọng 4.76% và tăng 11.43%, đứng đầu về mức tăng trong kỳ này. SanDisk tăng 11.05%; ba mã đều tăng quanh mức 11%.

Ở chiều ngược lại, diễn biến phân hóa rõ rệt. GigaDevice giảm 12.83%, mạnh nhất trong kỳ này; ChangXin Memory Technologies giảm 5.55%. Theo cách tính gộp, có trọng số theo mức độ tiếp xúc, Samsung và SK hynix chỉ tăng lần lượt 3.27% và 6.25%; tổng tỷ trọng của hai mã này cùng với Micron là 73.75%.

Tiếp theo, cần theo dõi hai mã vốn hóa lớn của Hàn Quốc. Samsung và SK hynix có tổng tỷ trọng 47.3%, nhưng mức tăng chậm hơn Micron đáng kể — nếu chỉ số muốn tiến lên một nấc nữa, hai mã này cần tiếp sức. Nanya Technology, từng tăng vọt 50.62% trong tháng 8, và Winbond Electronics, từng tăng 40.38%, đều quay đầu giảm trong tháng 9. Điều này cho thấy đà tăng không lan rộng trên toàn chuỗi; tôi nghiêng về cách nhìn rằng các cổ phiếu có tỷ trọng lớn đang gồng gánh chỉ số.

Nội dung trên được tổng hợp từ thông tin công khai, không cấu thành khuyến nghị đầu tư.

#存储芯片 #美股ETF #半导体