Cổ phiếu của Navitas Semiconductor Corporation (NASDAQ: $NVTS
) vẫn tăng hai chữ số trong phiên giao dịch trước giờ mở cửa hôm thứ Ba sau đợt bứt tăng mạnh trong giao dịch sau giờ đóng cửa vào cuối tuần trước, sau thông báo vào chiều thứ Hai rằng Quân đội Mỹ đã chọn công ty cho chương trình ALATTIS.
NVTS tăng 9,29% lên 12,82 USD vào khoảng 8:41 sáng ET hôm thứ Ba, sau khi đóng cửa hôm thứ Hai ở mức 11,73 USD. Cổ phiếu đã giảm 3,85% trong phiên giao dịch thông thường hôm thứ Hai.
Cổ phiếu ban đầu tăng khoảng 20% trong giao dịch sau giờ đóng cửa hôm thứ Hai sau khi Navitas công bố khoản trao thưởng. Đến đầu hôm thứ Ba, mức tăng đã hạ nhiệt so với cú vọt ban đầu nhưng vẫn cao hơn 9,29% so với mức đóng cửa hôm thứ Hai.
Navitas cho biết Quân đội Mỹ đã chọn công ty cho chương trình Accelerated, Large-Area, 10 kV SiC IGBT, hay ALATTIS, nhằm phát triển công nghệ bán dẫn công suất silicon-cacbua siêu điện áp thế hệ tiếp theo.
Dự án nguyên mẫu hướng tới việc phát triển và xác thực một quy trình sản xuất trong nước cho các thiết bị bán dẫn công suất silicon-cacbua được định mức từ 10 kV trở lên thông qua thiết kế, sản xuất và thử nghiệm theo chu kỳ. Phòng thí nghiệm Nghiên cứu Quân đội (Army Research Laboratory) tài trợ cho dự án, trong khi Joint Experimentation and Technology Accelerator (JETX) hỗ trợ chương trình.
#CryptoNewss
) vẫn tăng hai chữ số trong phiên giao dịch trước giờ mở cửa hôm thứ Ba sau đợt bứt tăng mạnh trong giao dịch sau giờ đóng cửa vào cuối tuần trước, sau thông báo vào chiều thứ Hai rằng Quân đội Mỹ đã chọn công ty cho chương trình ALATTIS.
NVTS tăng 9,29% lên 12,82 USD vào khoảng 8:41 sáng ET hôm thứ Ba, sau khi đóng cửa hôm thứ Hai ở mức 11,73 USD. Cổ phiếu đã giảm 3,85% trong phiên giao dịch thông thường hôm thứ Hai.
Cổ phiếu ban đầu tăng khoảng 20% trong giao dịch sau giờ đóng cửa hôm thứ Hai sau khi Navitas công bố khoản trao thưởng. Đến đầu hôm thứ Ba, mức tăng đã hạ nhiệt so với cú vọt ban đầu nhưng vẫn cao hơn 9,29% so với mức đóng cửa hôm thứ Hai.
Navitas cho biết Quân đội Mỹ đã chọn công ty cho chương trình Accelerated, Large-Area, 10 kV SiC IGBT, hay ALATTIS, nhằm phát triển công nghệ bán dẫn công suất silicon-cacbua siêu điện áp thế hệ tiếp theo.
Dự án nguyên mẫu hướng tới việc phát triển và xác thực một quy trình sản xuất trong nước cho các thiết bị bán dẫn công suất silicon-cacbua được định mức từ 10 kV trở lên thông qua thiết kế, sản xuất và thử nghiệm theo chu kỳ. Phòng thí nghiệm Nghiên cứu Quân đội (Army Research Laboratory) tài trợ cho dự án, trong khi Joint Experimentation and Technology Accelerator (JETX) hỗ trợ chương trình.
#CryptoNewss