Samsung Electronics đang đẩy nhanh tiến độ xây dựng dây chuyền sản xuất hàng loạt đầu tiên tại nhà máy Pyeongtaek Campus 5 và đang thảo luận với các nhà cung cấp thiết bị lớn về việc chuyển việc lắp đặt công cụ Ph1 từ quý ba năm tới sang quý hai năm tới. Theo ChainCatcher, địa điểm P5 là cơ sở sản xuất chất bán dẫn thế hệ tiếp theo, nhắm đến việc bắt đầu hoạt động vào năm 2028, và việc xây dựng phòng sạch Ph1 đã bắt đầu vào quý ba của năm nay.

Samsung đã đẩy nhanh việc hoàn thành phòng sạch Ph1 trước khoảng sáu tháng so với mốc ban đầu là đầu năm tới, điều này cho thấy việc đưa thiết bị vào dự kiến vào khoảng quý ba của năm tới. Các nguồn trong ngành cho biết hiện việc bắt đầu chuyển thiết bị có thể đang được xem xét rơi vào khoảng tháng 5 đến tháng 6 năm tới thay vì từ tháng 7 đến tháng 8, trong khi một nguồn khác cho biết Samsung thậm chí đã đề xuất nhận bàn giao thiết bị trong quý đầu tiên của năm tới và tạm thời lưu trữ ở nơi khác.

Các cuộc thảo luận cũng đang tiếp tục về đầu tư cho P5 Phase 2. Hiện Ph1 có khả năng cao sẽ được xây dựng như một dây chuyền DRAM và HBM, trong khi Ph2 có khả năng cao sẽ trở thành một dây chuyền NAND tiên tiến, bao gồm V10. Các nguồn trong ngành thiết bị cho biết chưa có đơn đặt hàng mua chính thức nào được đặt, nhưng Samsung đã thảo luận việc xây dựng Ph2 như một dây chuyền NAND và yêu cầu các đối tác chuẩn bị các linh kiện liên quan trước vì thời gian dẫn thiết bị dài.

Báo cáo cho biết các công ty công nghệ lớn toàn cầu đang tăng đơn hàng cho DRAM và NAND hiệu năng cao được sử dụng trong cơ sở hạ tầng AI, trong khi các nhà sản xuất bộ nhớ như Samsung có năng lực sản xuất còn hạn chế. Samsung cho biết trong cuộc gọi công bố kết quả kinh doanh quý 2 vào tháng Bảy rằng nhu cầu chưa được đáp ứng trong năm nay sẽ được chuyển sang năm sau, tình trạng thiếu cung ứng vào năm tới sẽ nghiêm trọng hơn so với năm nay, và dự kiến tình trạng thiếu hụt sẽ tiếp tục kéo dài đến năm 2028.